逆向崩溃电压英文解释翻译、逆向崩溃电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 reverse-breakdown voltage

分词翻译：

逆向的英语翻译：

converse
【计】 negative direction

崩溃电压的英语翻译：

【电】 avalenche voltage; breakdown voltage; electrie breakdown voltage
voltage breakdown

专业解析

逆向崩溃电压（Reverse Breakdown Voltage）是半导体器件领域的重要参数，指器件在反向偏置状态下发生雪崩击穿或齐纳击穿时的临界电压值。根据IEEE标准定义，当反向电压超过该阈值时，器件将失去阻断能力并允许大电流通过，可能造成永久性损坏。

该参数在工程应用中具有两方面核心价值：

1. 安全设计基准：电力电子系统设计中需确保反向工作电压低于崩溃值，如整流电路中的二极管选型需参考此参数（参考：Semiconductor Devices: Theory and Application, 第5章）；
2. 器件特性标识：制造商在数据手册中标注该参数作为器件耐压能力的重要指标，例如典型硅二极管的逆向崩溃电压范围在50V-1000V之间。

实际应用中需注意温度系数影响，每升高1℃会导致崩溃电压值变化约0.1%（参考：IEEE Xplore电子器件热效应研究报告）。在齐纳二极管等特殊器件中，工程师会刻意利用该特性实现电压基准或过压保护功能。

网络扩展解释

逆向崩溃电压（Reverse Breakdown Voltage）是电子元件（如二极管、TVS管等）在反向偏压下发生电击穿的最低电压值。以下是详细解释：

1.定义与核心概念

当元件承受反向电压时，若电压超过某一临界值，电流会急剧增加，导致绝缘性能失效，这一临界电压即为逆向崩溃电压。它是衡量器件耐压能力的重要参数，常用符号VBR表示。

2.工作原理

逆向崩溃电压的产生机制主要有两种：

• 雪崩击穿（Avalanche Breakdown）：高电场加速载流子，与晶格碰撞产生更多载流子，形成连锁反应。
• 隧穿击穿（Zener Breakdown）：高浓度掺杂下，量子隧穿效应导致载流子直接穿过势垒，常见于低压稳压二极管。

3.应用场景

• TVS管（瞬态电压抑制二极管）：利用逆向崩溃电压特性，将瞬态过电压钳位至安全水平，保护电路。
• 稳压二极管：在击穿区工作，保持电压稳定。

4.相关参数

• VBR测试条件：通常以反向电流达到1mA时的电压值为标准。
• 关断电压（VWM）：器件正常工作时可承受的最大反向电压，低于VBR。

逆向崩溃电压是器件反向耐压的极限值，其机制和应用因材料和结构而异。实际设计中需结合雪崩/隧穿特性选择元件，并确保工作电压低于VBR以保证可靠性。

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