栅導納英文解釋翻譯、栅導納的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid admittance

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

導納的英語翻譯：

【化】 admittance

專業解析

栅導納（Grid Admittance）是電子工程，特别是真空管（電子管）電路分析中的一個重要概念。它描述的是電子管栅極對交流信號的響應特性，是栅極電壓微小變化與由此引起的栅極電流微小變化之比的複數形式。其數學表達式為：

$$ Y_g = frac{partial I_g}{partial V_g} $$

其中：

$Y_g$ 代表栅導納，
$partial I_g$ 代表栅極電流的微小變化量，
$partial V_g$ 代表栅極電壓的微小變化量。

詳細解釋：

物理意義：
- 栅導納衡量的是栅極輸入端對交流信號的“導通”能力或“接納”電流的能力。它是一個複數，包含實部（電導分量）和虛部（電納分量）。
- 實部（電導分量 $G_g$）：主要反映栅極電路中存在的損耗。在理想情況下，栅極本身不應消耗功率（栅流為零），栅極回路應為純電抗性。然而，實際中可能存在：
  - 栅極電阻（Grid Resistance）：栅極材料本身的電阻、引線電阻等産生的損耗。
  - 栅流分量：當栅極電位為正時（或存在電子/離子轟擊時），會産生栅極電流，導緻功率損耗。
  - 介質損耗：栅極絕緣支撐材料的損耗。
- 虛部（電納分量 $B_g$）：主要由栅極回路的電抗構成：
  - 栅極-陰極電容 ($C_{gk}$)：這是最主要的成分，存在于栅極和陰極之間。
  - 栅極-屏極電容 ($C_{gp}$)：存在于栅極和屏極（陽極）之間。
  - 引線電感等：在高頻時，引線電感的影響會顯現。
與跨導 ($g_m$) 的區别：
- 栅導納 ($Y_g$) 描述的是輸入回路（栅極-陰極）的特性，關注栅極電壓變化對栅極電流的影響。
- 跨導 ($g_m$) 描述的是輸入對輸出的控制能力，關注栅極電壓變化對屏極電流 ($I_a$) 的影響，定義為 $g_m = partial I_a / partial V_g$。兩者都是衡量電子管性能的關鍵參數，但側重點不同。
在電路分析中的作用：
- 栅導納是構建電子管等效電路模型（如五極管等效模型）的重要組成部分。它直接影響放大器、振蕩器等電路的輸入阻抗、頻率響應和穩定性。
- 在高頻應用中，栅導納的虛部（主要是輸入電容 $C{in} approx C{gk} + C_{gp}$）會成為限制電路工作頻率上限的關鍵因素，因為它會與信號源内阻形成低通濾波。
- 栅導納的實部（損耗分量）會影響電路的增益和噪聲性能。
影響因素：
- 工作點：栅導納的值會隨着電子管的靜态工作點（栅偏壓 $V_{g0}$）而變化。
- 頻率：由于電抗分量 ($jomega C$) 的存在，栅導納是頻率的函數。隨着頻率升高，容抗減小，導納的模值增大。
- 電子管類型和結構：三極管、四極管、五極管、束射四極管等不同類型的電子管，其極間電容和栅流特性不同，栅導納也不同。五極管/束射四極管的 $C_{gp}$ 通常比三極管小很多。
- 電路布局和元件：外部栅極電阻、栅極接地方式等也會影響測量或計算得到的栅導納值。

栅導納 ($Y_g$) 是表征電子管栅極輸入端交流特性的核心參數，它是一個複數，包含反映損耗的電導分量 ($G_g$) 和反映儲能元件（主要是電容）的電納分量 ($B_g$)。它決定了電子管輸入回路的阻抗特性，對高頻電路的設計和分析至關重要，直接影響放大器的帶寬、增益和穩定性。理解栅導納對于分析和設計基于真空管的射頻電路是不可或缺的。

權威參考資料：

《電子管與微波技術基礎》 (高等院校電子信息類教材)：該書在講解電子管（真空管）工作原理和等效電路模型時，詳細闡述了栅極輸入特性，包括栅導納的概念及其組成部分（電容、電阻等）。
IEEE Xplore Digital Library: 該數據庫收錄了大量電子工程領域的經典論文和标準。搜索關鍵詞如 "vacuum tube grid admittance", "tetrode/pentode input admittance" 可以找到關于栅導納測量、建模及其對電路性能影響的研究文獻，這些文獻提供了最原始和權威的技術定義與分析。
《電子管電路設計》 (Paul, Reich 等經典著作)：這類經典電子管電路設計書籍在分析放大器輸入級、中和電路、振蕩器起振條件等内容時，必然會涉及栅導納（或其倒數栅極阻抗）的分析和計算，是工程實踐的重要參考。

網絡擴展解釋

“栅導納”是一個結合電子工程與電路理論的術語，需拆解為“栅”和“導納”兩部分解釋：

栅
在電子器件中，“栅”通常指場效應晶體管（如MOSFET）的栅極（Gate），是控制源極與漏極間電流的關鍵電極。其結構特性（如絕緣層、材料）會影響器件的電學性能。
導納
導納（Admittance）是阻抗的倒數，表示電路對交流電的導通能力，公式為：
$$
Y = frac{1}{Z} = G + jB
$$
其中，( G )為電導（實部），( B )為電納（虛部）。導納用于分析交流電路中電壓、電流的相位及幅值關系。
栅導納的含義
指場效應管栅極在交流信號下的導納特性，主要體現為栅極電容的容性導納。例如，MOSFET的栅極與溝道間存在氧化層電容 ( C{ox} )，其導納可表示為：
$$
Y = jomega C{ox}
$$
其中 ( omega ) 為信號角頻率。高頻下，栅導納會影響器件的輸入阻抗和頻率響應。

應用場景：在射頻電路或高頻放大器設計中，栅導納是分析場效應管高頻性能（如截止頻率、增益帶寬積）的重要參數。需結合具體器件參數（如跨導、電容）進行建模計算。

注：搜索結果未直接提及“栅導納”，此解釋基于導納定義與栅極的電子學角色綜合推斷。如需更詳細器件參數，建議參考半導體物理或晶體管模型專業文獻。