四極管接面晶體管英文解釋翻譯、四極管接面晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 tetrode junction transistor

tetrode
【電】 four electrode tube

receive; accept
【電】 connecting

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

四極管接面晶體管（Tetrode Junction Transistor）是一種早期半導體器件，其結構包含四個電極：兩個基極（B1、B2）、一個發射極（E）和一個集電極（C）。這一設計通過引入額外電極改善了對載流子的控制能力，主要應用于高頻放大與開關電路中。

從物理結構看，其核心為三層半導體材料（N-P-N或P-N-P），其中雙基極設計可獨立調節基區電場分布。與标準雙極晶體管（BJT）相比，四極管的二次基極能有效降低基極電阻，提升截止頻率（fT）約20-30%[參考《半導體器件物理》第5章]。

在電路應用中，四極管常采用共射極配置，通過第二基極施加偏置電壓可動态調節電流放大系數β值。該特性使其在自動增益控制（AGC）系統中具有特殊優勢[來源：IEEE Xplore文獻庫]。但由于制造工藝複雜且成本較高，此類器件已被現代場效應管（FET）及集成電路技術替代。

曆史文獻顯示，貝爾實驗室在1950年代曾對四極管結構進行系統研究，相關成果收錄于《晶體管技術演進史》（ISBN 978-0-12-386491-8）。當前該器件主要作為教學案例用于半導體物理課程，幫助理解多電極載流子控制機制。

“四極管接面晶體管”這一術語存在概念混淆，需分兩部分解釋：

四極管（Tetrode）
屬于電子管（真空管）的一種，包含四個電極：陽極（屏極）、陰極、控制栅極和簾栅極。簾栅極的加入提高了電子管的放大效率和頻率響應，常用于早期無線電設備。
接面晶體管（BJT，Bipolar Junction Transistor）
是半導體器件，由三層半導體材料（NPN或PNP結構）構成，僅含三個電極：發射極、基極和集電極。通過基極電流控制集電極-發射極電流，實現信號放大。

矛盾點分析：

四極管是電子管，依賴真空環境與熱電子發射；接面晶體管是固态器件，基于半導體PN結原理，兩者結構和工作原理完全不同。
晶體管标準類型均為三端器件（如BJT、FET）。若涉及“四極”，可能指特殊設計（如雙栅極場效應管），但這類器件屬于場效應管（FET），與“接面晶體管”（BJT）無關。

建議：
若需了解多極半導體器件，可參考：

該術語可能是對兩類器件的誤用，需結合具體上下文進一步确認。