四層次電晶體英文解釋翻譯、四層次電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 four-layer transistor

分詞翻譯：

四的英語翻譯：

four
【醫】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

層次的英語翻譯：

administrative levels; arrangement
【電】 level

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

在電子工程領域，"四層次電晶體"（Four-layer Transistor）通常指具有四層交替摻雜半導體結構的器件，其核心代表是晶閘管（Thyristor），又稱可控矽整流器（SCR）。以下是其詳細解析：

一、術語定義與結構

漢英對照
- 中文：四層次電晶體（或"四層晶體管"）
- 英文：Four-layer Semiconductor Device / Thyristor
  注：嚴格意義上，它屬于"半導體開關器件"而非傳統晶體管（Transistor）。
物理結構
由四層半導體材料（P-N-P-N）構成三個PN結（J₁、J₂、J₃），引出三個電極：
- 陽極（Anode）：P型層
- 陰極（Cathode）：N型層
- 門極（Gate）：中間P型層（控制端）
  結構示意：P₊ | N | P | N₊

二、工作原理

觸發機制
當門極注入觸發電流時，J₂結從反向偏置轉為導通，引發内部正反饋，使器件進入導通狀态（Latching Effect）。

公式表示導通條件：

$$ IG > I{GT} quad text{(門極電流 > 觸發阈值)} $$
關斷特性
需通過外部電路使陽極電流降至維持電流（$I_H$）以下，才能恢複阻斷狀态。

三、核心應用場景

電力控制
- 交流調壓（如燈光調節、電機調速）
- 整流電路（大功率AC/DC轉換）
保護裝置
- 過壓保護（撬杠電路）
- 固态繼電器（SSR）

四、權威參考資料

半導體器件經典著作
- Ben G. Streetman & Sanjay Banerjee, Solid State Electronic Devices, 7th Ed. （牛津大學出版社）
  注：第10章詳解四層器件物理模型
IEEE行業标準
- IEEE Standard Definition for Thyristors (IEEE Std 100-2000)
工程技術手冊
- ON Semiconductor Thyristor Handbook （安森美官方技術文檔）

五、術語辨析

與傳統晶體管區别：
雙極晶體管（BJT）為三層（P-N-P/N-P-N），而晶閘管為四層結構，且具有"自鎖"特性。

常見誤解：
"四層次電晶體"非标準術語，需明确其實際指代晶閘管家族（含SCR、TRIAC等）。

（注：因搜索結果限制，部分鍊接為代表性文獻，實際引用時建議優先選用IEEE或權威教材資源。）

網絡擴展解釋

“四層次電晶體”是電子學領域的專業術語，其英文對應為four-layer transistor。以下是詳細解釋：

1.基本定義

結構特性：該術語指具有四層半導體材料（如PNPN或NPNP結構）組成的晶體管。與傳統三極管（三層結構）不同，四層設計可能用于特殊功能，例如高壓開關或特定放大場景。
翻譯背景：中文直譯中，“層次”對應英文“layer”，而“電晶體”是“transistor”的常見中文譯名。

2.可能的關聯器件

四層結構更常見于晶閘管（Thyristor）或可控矽（SCR）等器件，這類器件通過四層PNPN結構實現大電流控制功能。但嚴格來說，晶閘管與晶體管（Transistor）在功能上存在差異，需結合具體上下文判斷術語的準确指向。

3.注意事項

術語混淆：在标準電子學術語中，晶體管通常指三層結構（如BJT或FET），而四層器件可能屬于其他分類。建議參考權威電子工程手冊或器件數據手冊以确認具體技術參數。

如需進一步了解應用場景或電路原理，可查閱電子學教材或專業文獻以獲取更系統的技術說明。