
n. 磁阻效應;[物] 磁緻電阻率
The effects of annealing on the electrical resistivity, anisotropic magnetoresistivity and hysteresis loop were stu***d on sputtered permalloy thin films.
研究了坡莫磁阻薄膜的熱處理工藝對電磁性能和組織結構的影響。
High precision instruments of measuring electrical resistivity and magnetoresistivity are needed to study the inner structure and resistance characteristic of nanocrystalline materials.
研究納米材料内部結構和電阻輸運機制需要有高精度的儀器來測量納米材料的電阻率和磁阻。
This paper introduces some magnetic parameters of magnetic material, such as magnetic hysteresis loop-line, electrical resistivity and magnetoresistivity, and the methods to measure them.
本文主要介紹了電磁材料的磁滞回線及電阻率與磁阻幾種電磁參數以及它們的測量方法。
磁緻電阻率(Magnetoresistivity)是指材料的電阻率隨外加磁場變化而發生改變的物理現象。它是凝聚态物理和材料科學中的重要特性,尤其在磁傳感器、磁存儲器件等領域有廣泛應用。以下是詳細解釋:
磁緻電阻率描述的是材料在磁場作用下電阻率(ρ)的相對變化量,通常用以下公式表示: $$ MR = frac{rho(H) - rho(0)}{rho(0)} times 100% $$ 其中:
磁緻電阻效應主要源于磁場對材料中電子輸運行為的調制,具體機制包括:
各向異性磁緻電阻(AMR)
鐵磁材料(如鎳、钴合金)的電阻率隨電流方向與磁化方向夾角變化。當電流與磁化方向平行時電阻最小,垂直時最大。
來源:劍橋大學材料科學與冶金系
巨磁緻電阻(GMR)
在鐵磁/非磁金屬多層膜中,相鄰鐵磁層的磁矩平行時電阻低,反平行時電阻顯著升高。該效應源于自旋相關電子散射。
來源:德國于利希研究中心
隧道磁緻電阻(TMR)
鐵磁層/絕緣層/鐵磁層結構中,電子隧穿概率受兩側鐵磁層磁矩相對取向調控,反平行态電阻率可高于平行态數百倍。
磁傳感器
高靈敏度GMR/TMR傳感器用于硬盤磁頭、汽車電子(轉速檢測)、醫療設備(生物磁信號探測)。
來源:IEEE磁學學會
磁隨機存儲器(MRAM)
利用TMR效應實現非易失性存儲,具有高速、高耐久性特性。
magnetoresistivity(磁緻電阻率/磁阻效應)指材料在外加磁場作用下電阻率發生變化的物理現象。這一效應廣泛用于傳感器、磁存儲設備等領域,以下是關鍵點解析:
物理機制
當材料置于磁場中時,其導電電子的運動軌迹會受到磁場影響,導緻電阻率改變。這種現象與材料的電子結構、自旋排列密切相關,尤其在磁性材料(如鐵磁體)中更為顯著。
主要類型
應用領域
術語辨析
如需更深入的技術細節,可參考材料物理學文獻或傳感器技術相關研究。
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