n. 磁阻效应；[物] 磁致电阻率
The effects of annealing on the electrical resistivity, anisotropic magnetoresistivity and hysteresis loop were stu***d on sputtered permalloy thin films.
研究了坡莫磁阻薄膜的热处理工艺对电磁性能和组织结构的影响。
High precision instruments of measuring electrical resistivity and magnetoresistivity are needed to study the inner structure and resistance characteristic of nanocrystalline materials.
研究纳米材料内部结构和电阻输运机制需要有高精度的仪器来测量纳米材料的电阻率和磁阻。
This paper introduces some magnetic parameters of magnetic material, such as magnetic hysteresis loop-line, electrical resistivity and magnetoresistivity, and the methods to measure them.
本文主要介绍了电磁材料的磁滞回线及电阻率与磁阻几种电磁参数以及它们的测量方法。
磁致电阻率（Magnetoresistivity）是指材料的电阻率随外加磁场变化而发生改变的物理现象。它是凝聚态物理和材料科学中的重要特性，尤其在磁传感器、磁存储器件等领域有广泛应用。以下是详细解释：
磁致电阻率描述的是材料在磁场作用下电阻率（ρ）的相对变化量，通常用以下公式表示： $$ MR = frac{rho(H) - rho(0)}{rho(0)} times 100% $$ 其中：
磁致电阻效应主要源于磁场对材料中电子输运行为的调制，具体机制包括：
各向异性磁致电阻（AMR）
铁磁材料（如镍、钴合金）的电阻率随电流方向与磁化方向夹角变化。当电流与磁化方向平行时电阻最小，垂直时最大。
来源：剑桥大学材料科学与冶金系
巨磁致电阻（GMR）
在铁磁/非磁金属多层膜中，相邻铁磁层的磁矩平行时电阻低，反平行时电阻显著升高。该效应源于自旋相关电子散射。
来源：德国于利希研究中心
隧道磁致电阻（TMR）
铁磁层/绝缘层/铁磁层结构中，电子隧穿概率受两侧铁磁层磁矩相对取向调控，反平行态电阻率可高于平行态数百倍。
磁传感器
高灵敏度GMR/TMR传感器用于硬盘磁头、汽车电子（转速检测）、医疗设备（生物磁信号探测）。
来源：IEEE磁学学会
磁随机存储器（MRAM）
利用TMR效应实现非易失性存储，具有高速、高耐久性特性。
magnetoresistivity（磁致电阻率/磁阻效应）指材料在外加磁场作用下电阻率发生变化的物理现象。这一效应广泛用于传感器、磁存储设备等领域，以下是关键点解析：
物理机制
当材料置于磁场中时，其导电电子的运动轨迹会受到磁场影响，导致电阻率改变。这种现象与材料的电子结构、自旋排列密切相关，尤其在磁性材料（如铁磁体）中更为显著。
主要类型
应用领域
术语辨析
如需更深入的技术细节，可参考材料物理学文献或传感器技术相关研究。
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