光电晶体管英文解释翻译、光电晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 phototransistor

分词翻译：

光电的英语翻译：

photoelectricity
【医】 photoelectricity

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

光电晶体管（Phototansistor）是一种通过光信号控制输出电流的半导体器件，其英文术语由"photo-"（光）和"transistor"（晶体管）组合构成。该器件在结构上类似双极型晶体管，但采用光敏材料作为基区或通过透明窗口接收光照，通过光电效应实现载流子的激发与控制。

从工作原理分析，当光子能量超过半导体材料禁带宽度时，会在基区产生电子-空穴对。这些光生载流子在集电结反向偏置电压作用下形成光电流，该电流通过晶体管放大效应被放大β倍（共射电流增益），因此灵敏度显著高于普通光电二极管。典型响应波长范围集中在可见光至近红外波段（400-1100nm），具体取决于所用半导体材料（如硅、砷化镓等）。

在工程应用中，光电晶体管主要承担光检测、光控开关和光隔离等功能，常见于自动门禁系统、光编码器、光纤通信接收模块等场景。其封装形式包括带有透镜的TO-18金属封装和表面贴装型（SMD），部分型号集成滤光片以提高抗干扰能力。关键参数包含暗电流（纳安级）、响应时间（微秒级）和截止频率，这些指标直接影响器件在高速光电转换系统中的适用性。

根据IEEE Electron Device Letters刊载的研究，现代光电晶体管通过异质结结构（如InGaAs/InP）和纳米线技术，已实现超过100GHz的带宽性能。美国国家标准技术研究院（NIST）的测试数据显示，优化后的器件在850nm波长下量子效率可达85%以上。

网络扩展解释

光电晶体管（Phototransistor）是一种将光信号转换为电信号的半导体器件，结合了光电效应与晶体管放大特性。以下从多个维度详细解析：

一、基本定义与原理

光电效应基础
光电晶体管通过光敏材料吸收光子能量，激发PN结产生电子-空穴对，形成光电流（）。相较于普通晶体管，其基极区域被光敏材料替代，无需外部电信号输入即可通过光照控制电流（）。
信号放大机制
光生电流作为基极电流，经晶体管放大后输出更大的集电极电流，增益可达100-1500倍（）。这一特性解决了光电二极管输出信号弱的缺陷（）。

二、结构与工作模式

集成化设计
通常由光电二极管与晶体管集成于同一硅片，基极处于开路状态，集电结施加反向偏压以增强光电响应（）。
典型工作条件
光照作用于基极区域时，光生载流子迁移形成电流，通过晶体管放大后输出电信号（）。

三、核心优势与应用

性能优势
- 高灵敏度：光信号直接触发放大，适用于微弱光检测（）。
- 低噪声：集成结构减少信号干扰（）。
主要应用领域
- 光通信：光信号接收与转换（）。
- 自动控制：如光隔离器、光开关（）。
- 环境监测：环境光强检测（）。

四、与其他光电器件的对比

相较于光电二极管，光电晶体管通过内部放大显著提升输出信号强度，但响应速度略低。其结构复杂度高于普通晶体管，但光控特性使其在特定场景不可替代（、）。