
【电】 photoelectromotive force
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-
【计】 electromotive force
【化】 electromotive force; emf
【医】 E.M.F.; electromotive force
光电动势(Photoelectromotive Force)是指物质在光照条件下因光电效应而产生电动势的物理现象。以下是详细解释:
内光电效应
光照激发半导体中的电子从价带跃迁至导带,形成电子-空穴对。电荷在电场(如PN结内建电场)作用下分离,产生定向电动势。
公式表达:
$$ V_{ph} = frac{kT}{q} lnleft(1 + frac{I_L}{I0}right) $$
其中 (V{ph}) 为光生电压,(I_L) 为光生电流,(I_0) 为反向饱和电流。
外光电效应
光子能量超过材料功函数时,电子逸出表面形成电流(如光电管原理),其开路电压即光电动势。
注:因未搜索到可验证的公开网页链接,引用来源仅标注权威文献名称。建议查阅《英汉电子工程词典》《Springer Handbook of Photovoltaics》等工具书获取进一步细节。
光电动势是光电池中将光能转化为电能时产生的电动势,其本质是光激发半导体材料形成电势差的过程。以下是详细解释:
一、基本原理 光电动势的产生基于光电效应,当光子能量大于半导体禁带宽度时,光子会将价带中的电子激发到导带,形成电子-空穴对。这些载流子在材料内部电场(如PN结电场)作用下分离,电子向N区移动,空穴向P区移动,从而在两极间形成电势差。
二、与普通电动势的区别
三、关键公式 光电动势的最大值由材料禁带宽度决定: $$ E_{ph} = frac{hc}{lambda} - E_g $$ 其中$h$为普朗克常数,$c$为光速,$lambda$为入射光波长,$E_g$为半导体禁带宽度。
四、应用场景 主要用于太阳能电池、光电传感器等领域,通过光电动势实现无机械部件的能量转换。实际应用中需注意光波长与材料特性的匹配,例如硅基材料对可见光响应最佳。
如需进一步了解光电池结构或具体器件设计,可参考的半导体原理说明。
薄片状石墨宾格内氏带比哌立登草大青带电线路带负电荷的惰性气体原子群大具窍腹蛇单程列管加热器电镀锡锌合金电子方位标记多次展开法多向量中断反射活动范文发芽生殖副官职鬼像黑柳结痂疹空气动力直径口内Ж片立即行动的磷酸锰毛地黄皂苷毛鱼藤酮逆相髂小肌山渣树油石油工业松木硬脂