
【電】 photoelectromotive force
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【醫】 light; phot-; photo-
【計】 electromotive force
【化】 electromotive force; emf
【醫】 E.M.F.; electromotive force
光電動勢(Photoelectromotive Force)是指物質在光照條件下因光電效應而産生電動勢的物理現象。以下是詳細解釋:
内光電效應
光照激發半導體中的電子從價帶躍遷至導帶,形成電子-空穴對。電荷在電場(如PN結内建電場)作用下分離,産生定向電動勢。
公式表達:
$$ V_{ph} = frac{kT}{q} lnleft(1 + frac{I_L}{I0}right) $$
其中 (V{ph}) 為光生電壓,(I_L) 為光生電流,(I_0) 為反向飽和電流。
外光電效應
光子能量超過材料功函數時,電子逸出表面形成電流(如光電管原理),其開路電壓即光電動勢。
注:因未搜索到可驗證的公開網頁鍊接,引用來源僅标注權威文獻名稱。建議查閱《英漢電子工程詞典》《Springer Handbook of Photovoltaics》等工具書獲取進一步細節。
光電動勢是光電池中将光能轉化為電能時産生的電動勢,其本質是光激發半導體材料形成電勢差的過程。以下是詳細解釋:
一、基本原理 光電動勢的産生基于光電效應,當光子能量大于半導體禁帶寬度時,光子會将價帶中的電子激發到導帶,形成電子-空穴對。這些載流子在材料内部電場(如PN結電場)作用下分離,電子向N區移動,空穴向P區移動,從而在兩極間形成電勢差。
二、與普通電動勢的區别
三、關鍵公式 光電動勢的最大值由材料禁帶寬度決定: $$ E_{ph} = frac{hc}{lambda} - E_g $$ 其中$h$為普朗克常數,$c$為光速,$lambda$為入射光波長,$E_g$為半導體禁帶寬度。
四、應用場景 主要用于太陽能電池、光電傳感器等領域,通過光電動勢實現無機械部件的能量轉換。實際應用中需注意光波長與材料特性的匹配,例如矽基材料對可見光響應最佳。
如需進一步了解光電池結構或具體器件設計,可參考的半導體原理說明。
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