共基极晶体管英文解释翻译、共基极晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 grounded base transistor

分词翻译：

共的英语翻译：

altogether; common; general; share; together
【医】 sym-; syn-

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

极晶体的英语翻译：

【电】 polar crystal

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

共基极晶体管（Common-Base Transistor，简称CB配置）是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的三种基本放大电路组态之一。在这种组态中，晶体管的基极（Base）作为输入和输出回路的公共端（Common Terminal），信号从发射极（Emitter）输入，从集电极（Collector）输出。

核心特性与工作原理

输入-输出关系：
- 输入电极：发射极（Emitter）
- 输出电极：集电极（Collector）
- 公共端/参考点：基极（Base）
- 输入电流：发射极电流 ((I_E))
- 输出电流：集电极电流 ((I_C))
- 电流增益 ((alpha) 或 (h_{FB}))：定义为输出电流 ((I_C)) 与输入电流 ((I_E)) 的比值，即： $$ alpha = frac{I_C}{I_E} $$ 由于 (I_C) 略小于 (I_E)（(I_E = I_C + I_B)），(alpha) 的值非常接近1但小于1（典型值0.98-0.99）。因此，共基极电路没有电流放大能力，但具有电压放大能力。
电压增益：
- 共基极放大电路可以提供较高的电压增益。输出电压 ((V{out} = V{CB})) 的变化远大于输入电压 ((V{in} = V{EB})) 的变化。电压增益 ((A_V)) 取决于集电极负载电阻 ((R_C)) 和发射极输入电阻 ((r_e))： $$ A_V approx frac{R_C}{r_e} $$ 其中 (r_e) 是发射结的动态电阻（小信号模型），值较小（约几欧姆到几十欧姆），因此 (A_V) 可以很大。
输入阻抗与输出阻抗：
- 输入阻抗低：由于输入加在正向偏置的发射结（B-E结）上，其动态电阻 (r_e) 很小，导致共基极放大器的输入阻抗很低（通常几十到几百欧姆）。这使其适合与低阻抗信号源（如某些传感器、传输线）匹配。
- 输出阻抗高：输出取自反向偏置的集电结（B-C结），该结在放大区呈现高动态电阻（几十千欧姆到兆欧姆量级）。因此，共基极放大器的输出阻抗很高，接近理想电流源特性。
频率响应：
- 共基极组态具有优异的频率响应和宽带宽。这是因为基极作为公共端并接地（通常通过电容交流接地），有效消除了B-C结电容（(C{cb}) 或 (C{mu})）的密勒效应（Miller Effect），该效应在共射（CE）组态中会显著限制高频性能。因此，CB配置常用于高频（射频）放大器、振荡器等需要宽频带工作的场合。

典型应用场景

高频/射频放大器：由于其宽带宽和良好的高频特性，常用于射频前端放大、VHF/UHF放大器等。
缓冲放大器/电流跟随器：利用其低输入阻抗和高输出阻抗特性，可实现良好的电流缓冲和隔离作用。
恒流源：作为电流镜（Current Mirror）的一部分或独立恒流源电路。
差分放大器：在差分对（如长尾对）中，共基极晶体管有时用于提高共模抑制比或扩展带宽。
阻抗匹配：在需要将低阻抗源匹配到高阻抗负载的电路中。

共基极晶体管配置以其低输入阻抗、高输出阻抗、接近1的电流增益（无电流放大）、高电压增益以及优异的高频特性而著称。虽然它不提供电流放大，但其独特的阻抗特性和宽带宽使其在射频电路、缓冲级、恒流源以及需要高频性能的应用中扮演着不可替代的角色。

参考资料：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2015). Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford University Press. (Chapter 5: Bipolar Junction Transistors - Section 5.7: The Common-Base Amplifier)
"Common Base Amplifier". All About Circuits. (Provides practical circuit analysis and characteristics)
"Bipolar Transistor Configurations". Electronics Tutorials. (Covers the three BJT configurations including CB)
IEEE Xplore Digital Library. (Search for academic papers on "common-base amplifier" for in-depth analysis and advanced applications).

网络扩展解释

共基极晶体管是双极型晶体管（BJT）的三种基本电路组态之一，其特点是基极作为输入和输出回路的公共端。以下为综合解释：

一、结构特点

电极配置
输入信号从发射极（E）输入，输出信号从集电极（C）输出，基极（B）为公共端。这种接法要求发射结正偏、集电结反偏以实现放大功能。
相位关系
输入与输出信号相位相同（无反向），与共射极电路形成对比。

二、电学特性

电流放大系数
共基极的电流放大系数（$alpha$）定义为$alpha = frac{I_C}{I_E}$，通常小于1（约0.98-0.99），而共射极的$beta$值则远大于1。
电压增益
电压放大倍数较高，但功率增益低于共射极电路。
输入/输出阻抗
- 输入阻抗低（约几十欧姆），因发射结正偏导致低阻抗路径；
- 输出阻抗高（约几百千欧），适合驱动高阻抗负载。

三、应用场景

高频信号处理
由于密勒电容效应较小，高频响应优于共射极电路，常用于射频放大器（如LNA）、振荡器和混频器。
级联电路
常与共射极电路组合（如共射-共基级联），扩展带宽并提高稳定性。

四、优缺点

优点：宽频带、高频特性好、输出阻抗高；
缺点：输入阻抗低（需阻抗匹配）、电流增益低、功率效率较差。

公式补充

电流关系：$I_E = I_B + I_C$，共基极的$alpha$与共射极的$beta$满足$alpha = frac{beta}{beta + 1}$。

如需更完整的电路分析或设计案例，可参考高频放大器相关文献或专业教材。