共基極晶體管英文解釋翻譯、共基極晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 grounded base transistor

分詞翻譯：

共的英語翻譯：

altogether; common; general; share; together
【醫】 sym-; syn-

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

極晶體的英語翻譯：

【電】 polar crystal

管的英語翻譯：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

專業解析

共基極晶體管（Common-Base Transistor，簡稱CB配置）是雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）的三種基本放大電路組态之一。在這種組态中，晶體管的基極（Base）作為輸入和輸出回路的公共端（Common Terminal），信號從發射極（Emitter）輸入，從集電極（Collector）輸出。

核心特性與工作原理

輸入-輸出關系：
- 輸入電極：發射極（Emitter）
- 輸出電極：集電極（Collector）
- 公共端/參考點：基極（Base）
- 輸入電流：發射極電流 ((I_E))
- 輸出電流：集電極電流 ((I_C))
- 電流增益 ((alpha) 或 (h_{FB}))：定義為輸出電流 ((I_C)) 與輸入電流 ((I_E)) 的比值，即： $$ alpha = frac{I_C}{I_E} $$ 由于 (I_C) 略小于 (I_E)（(I_E = I_C + I_B)），(alpha) 的值非常接近1但小于1（典型值0.98-0.99）。因此，共基極電路沒有電流放大能力，但具有電壓放大能力。
電壓增益：
- 共基極放大電路可以提供較高的電壓增益。輸出電壓 ((V{out} = V{CB})) 的變化遠大于輸入電壓 ((V{in} = V{EB})) 的變化。電壓增益 ((A_V)) 取決于集電極負載電阻 ((R_C)) 和發射極輸入電阻 ((r_e))： $$ A_V approx frac{R_C}{r_e} $$ 其中 (r_e) 是發射結的動态電阻（小信號模型），值較小（約幾歐姆到幾十歐姆），因此 (A_V) 可以很大。
輸入阻抗與輸出阻抗：
- 輸入阻抗低：由于輸入加在正向偏置的發射結（B-E結）上，其動态電阻 (r_e) 很小，導緻共基極放大器的輸入阻抗很低（通常幾十到幾百歐姆）。這使其適合與低阻抗信號源（如某些傳感器、傳輸線）匹配。
- 輸出阻抗高：輸出取自反向偏置的集電結（B-C結），該結在放大區呈現高動态電阻（幾十千歐姆到兆歐姆量級）。因此，共基極放大器的輸出阻抗很高，接近理想電流源特性。
頻率響應：
- 共基極組态具有優異的頻率響應和寬帶寬。這是因為基極作為公共端并接地（通常通過電容交流接地），有效消除了B-C結電容（(C{cb}) 或 (C{mu})）的密勒效應（Miller Effect），該效應在共射（CE）組态中會顯著限制高頻性能。因此，CB配置常用于高頻（射頻）放大器、振蕩器等需要寬頻帶工作的場合。

典型應用場景

高頻/射頻放大器：由于其寬帶寬和良好的高頻特性，常用于射頻前端放大、VHF/UHF放大器等。
緩沖放大器/電流跟隨器：利用其低輸入阻抗和高輸出阻抗特性，可實現良好的電流緩沖和隔離作用。
恒流源：作為電流鏡（Current Mirror）的一部分或獨立恒流源電路。
差分放大器：在差分對（如長尾對）中，共基極晶體管有時用于提高共模抑制比或擴展帶寬。
阻抗匹配：在需要将低阻抗源匹配到高阻抗負載的電路中。

共基極晶體管配置以其低輸入阻抗、高輸出阻抗、接近1的電流增益（無電流放大）、高電壓增益以及優異的高頻特性而著稱。雖然它不提供電流放大，但其獨特的阻抗特性和寬帶寬使其在射頻電路、緩沖級、恒流源以及需要高頻性能的應用中扮演着不可替代的角色。

參考資料：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2015). Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford University Press. (Chapter 5: Bipolar Junction Transistors - Section 5.7: The Common-Base Amplifier)
"Common Base Amplifier". All About Circuits. (Provides practical circuit analysis and characteristics)
"Bipolar Transistor Configurations". Electronics Tutorials. (Covers the three BJT configurations including CB)
IEEE Xplore Digital Library. (Search for academic papers on "common-base amplifier" for in-depth analysis and advanced applications).

網絡擴展解釋

共基極晶體管是雙極型晶體管（BJT）的三種基本電路組态之一，其特點是基極作為輸入和輸出回路的公共端。以下為綜合解釋：

一、結構特點

電極配置
輸入信號從發射極（E）輸入，輸出信號從集電極（C）輸出，基極（B）為公共端。這種接法要求發射結正偏、集電結反偏以實現放大功能。
相位關系
輸入與輸出信號相位相同（無反向），與共射極電路形成對比。

二、電學特性

電流放大系數
共基極的電流放大系數（$alpha$）定義為$alpha = frac{I_C}{I_E}$，通常小于1（約0.98-0.99），而共射極的$beta$值則遠大于1。
電壓增益
電壓放大倍數較高，但功率增益低于共射極電路。
輸入/輸出阻抗
- 輸入阻抗低（約幾十歐姆），因發射結正偏導緻低阻抗路徑；
- 輸出阻抗高（約幾百千歐），適合驅動高阻抗負載。

三、應用場景

高頻信號處理
由于密勒電容效應較小，高頻響應優于共射極電路，常用于射頻放大器（如LNA）、振蕩器和混頻器。
級聯電路
常與共射極電路組合（如共射-共基級聯），擴展帶寬并提高穩定性。

四、優缺點

優點：寬頻帶、高頻特性好、輸出阻抗高；
缺點：輸入阻抗低（需阻抗匹配）、電流增益低、功率效率較差。

公式補充

電流關系：$I_E = I_B + I_C$，共基極的$alpha$與共射極的$beta$滿足$alpha = frac{beta}{beta + 1}$。

如需更完整的電路分析或設計案例，可參考高頻放大器相關文獻或專業教材。