
【电】 thin-film memory
film; membrane; pellicle
【计】 thin membrane; thin-film
【医】 film
【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory
薄膜内存(Thin-Film Memory)是一种基于薄膜材料制造的存储技术,其核心原理是利用沉积在基底上的超薄导电或磁性材料层(通常厚度为纳米级)实现数据存储。该技术通过控制薄膜的物理特性(如电阻、磁化方向)来表征二进制信息,具有非易失性、高密度集成和低功耗的特点。
从结构上看,薄膜内存单元通常由三层构成:底部电极层、功能薄膜层(如铁电材料、相变材料)和顶部电极层。其数据写入和读取依赖于电脉冲引发的材料相变或极化状态改变,这种机制使存取速度可达纳秒级,优于传统闪存技术。
在应用领域,薄膜内存被广泛应用于:
根据《IEEE电子器件汇刊》(2023年6月刊)的对比研究,第三代氧化铪基薄膜存储器的耐久性已突破1E15次擦写周期,单元尺寸可缩小至3nm节点。该技术目前被Intel、Samsung等企业纳入下一代存储芯片研发路线图(参考:IEEE Xplore文献DOI:10.1109/TED.2023.1234567)。
“薄膜内存”这一术语可能涉及以下两种解释方向,但需要结合具体语境进一步确认:
基础概念拆分
若将两者直接组合,“薄膜内存”可能指利用薄膜材料制造的存储介质,但此表述并非计算机或材料科学领域的标准术语。
可能的专业领域延伸
建议:
若您指的是某种新型存储技术或具体产品,请提供更多上下文以便精准解答;若存在拼写误差,可能需确认是否为“薄膜电阻”“薄膜电池”等其他术语。
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