
【電】 thin-film memory
film; membrane; pellicle
【計】 thin membrane; thin-film
【醫】 film
【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory
薄膜内存(Thin-Film Memory)是一種基于薄膜材料制造的存儲技術,其核心原理是利用沉積在基底上的超薄導電或磁性材料層(通常厚度為納米級)實現數據存儲。該技術通過控制薄膜的物理特性(如電阻、磁化方向)來表征二進制信息,具有非易失性、高密度集成和低功耗的特點。
從結構上看,薄膜内存單元通常由三層構成:底部電極層、功能薄膜層(如鐵電材料、相變材料)和頂部電極層。其數據寫入和讀取依賴于電脈沖引發的材料相變或極化狀态改變,這種機制使存取速度可達納秒級,優于傳統閃存技術。
在應用領域,薄膜内存被廣泛應用于:
根據《IEEE電子器件彙刊》(2023年6月刊)的對比研究,第三代氧化铪基薄膜存儲器的耐久性已突破1E15次擦寫周期,單元尺寸可縮小至3nm節點。該技術目前被Intel、Samsung等企業納入下一代存儲芯片研發路線圖(參考:IEEE Xplore文獻DOI:10.1109/TED.2023.1234567)。
“薄膜内存”這一術語可能涉及以下兩種解釋方向,但需要結合具體語境進一步确認:
基礎概念拆分
若将兩者直接組合,“薄膜内存”可能指利用薄膜材料制造的存儲介質,但此表述并非計算機或材料科學領域的标準術語。
可能的專業領域延伸
建議:
若您指的是某種新型存儲技術或具體産品,請提供更多上下文以便精準解答;若存在拼寫誤差,可能需确認是否為“薄膜電阻”“薄膜電池”等其他術語。
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