反向击穿英文解释翻译、反向击穿的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 reverse breakdown

reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion

【化】 breakdown

反向击穿（Reverse Breakdown）是半导体器件在反向偏置电压超过临界值时发生的非破坏性或可控性电流突增现象。该术语在电子工程领域特指二极管、稳压管等器件的核心特性，其英文定义强调电压极性反向时的导电突变特性。

根据器件物理机制，反向击穿可分为两类：

关键参数包括：

实际工程应用中，该现象被主动利用于： • 齐纳二极管电压基准源设计（IEEE标准电路手册） • 瞬态电压抑制器（TVS）的浪涌保护机制（IEC 61000-4-5） • 可控硅整流器（SCR）的触发电路配置（功率电子技术，清华大学出版社）

反向击穿是半导体器件或材料在承受超过其耐受能力的反向电压时，电流急剧增大的现象。以下是其核心要点：

1. 定义与发生条件
当器件（如二极管）两端施加的反向电压超过特定阈值（反向击穿电压）时，原本不导电的器件会突然导通，电流迅速增大。这种现象常见于二极管、三极管等半导体元件。

2. 物理机制
主要因强电场导致载流子（空穴和电子）数量剧增，形成导电通道。具体分为两种类型：

3. 后果与影响

4. 应用与防护

示例公式
反向击穿电压阈值可表示为：
$$
V_{BR} = frac{E_g cdot d}{varepsilon}
$$
其中，( E_g )为材料禁带宽度，( d )为耗尽层厚度，( varepsilon )为介电常数。

提示：实际应用中需参考器件手册中的反向击穿电压参数，避免电路故障。