反向擊穿英文解釋翻譯、反向擊穿的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 reverse breakdown

分詞翻譯：

反向的英語翻譯：

reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion

擊穿的英語翻譯：

【化】 breakdown

專業解析

反向擊穿（Reverse Breakdown）是半導體器件在反向偏置電壓超過臨界值時發生的非破壞性或可控性電流突增現象。該術語在電子工程領域特指二極管、穩壓管等器件的核心特性，其英文定義強調電壓極性反向時的導電突變特性。

根據器件物理機制，反向擊穿可分為兩類：

1. 齊納擊穿（Zener Breakdown）：主要發生在高摻雜PN結（<5V），由強電場引發的量子隧穿效應主導，具有負溫度系數特性；
2. 雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）：常見于低摻雜器件（>7V），載流子碰撞電離引發鍊式反應，表現為正溫度系數。

關鍵參數包括：

• 擊穿電壓（Breakdown Voltage, V_BR）：器件規格書标注的核心指标
• 最大反向電流（I_Rmax）：确保熱功耗在安全範圍内
• 動态阻抗（Z_zt）：穩壓器件的重要品質因數

實際工程應用中，該現象被主動利用于： • 齊納二極管電壓基準源設計（IEEE标準電路手冊） • 瞬态電壓抑制器（TVS）的浪湧保護機制（IEC 61000-4-5） • 可控矽整流器（SCR）的觸發電路配置（功率電子技術，清華大學出版社）

網絡擴展解釋

反向擊穿是半導體器件或材料在承受超過其耐受能力的反向電壓時，電流急劇增大的現象。以下是其核心要點：

1. 定義與發生條件
當器件（如二極管）兩端施加的反向電壓超過特定阈值（反向擊穿電壓）時，原本不導電的器件會突然導通，電流迅速增大。這種現象常見于二極管、三極管等半導體元件。

2. 物理機制
主要因強電場導緻載流子（空穴和電子）數量劇增，形成導電通道。具體分為兩種類型：

• 雪崩擊穿：高電壓加速載流子碰撞原子，産生更多自由電荷。
• 齊納擊穿（低壓時）：強電場直接破壞原子結構，釋放載流子。

3. 後果與影響

• 器件可能永久損壞（如普通二極管），但部分器件（如穩壓二極管）可工作在可控擊穿區。
• 電流遠超額定值，導緻發熱甚至燒毀。

4. 應用與防護

• 應用：穩壓二極管利用反向擊穿特性實現電壓穩定。
• 防護：設計電路時需确保反向電壓低于器件擊穿電壓，并考慮散熱。

示例公式
反向擊穿電壓阈值可表示為：
$$
V_{BR} = frac{E_g cdot d}{varepsilon}
$$
其中，( E_g )為材料禁帶寬度，( d )為耗盡層厚度，( varepsilon )為介電常數。

提示：實際應用中需參考器件手冊中的反向擊穿電壓參數，避免電路故障。

分類

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