英语翻译：

【计】 emission efficiency

分词翻译：

发射的英语翻译：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

效率的英语翻译：

efficiency
【化】 coefficient of performance(COP)
【医】 efficiency
【经】 efficiency

专业解析

发射效率（英文：Emission Efficiency）是电子工程、通信及半导体物理等领域的关键术语，指能量转换或载流子输出过程中的有效利用率。其核心含义可依据应用场景细分为以下两类：

---

一、无线电工程中的定义

在天线与射频系统中，发射效率（η）特指天线将输入功率转化为电磁波辐射功率的比率，即：

$$

eta = frac{P{text{rad}}}{P{text{in}}}

$$

其中：

• ( P_{text{rad}} ) 为天线的辐射功率（有效发射功率）；
• ( P_{text{in}} ) 为输入天线的总功率。

影响因素：

1. 导体损耗：天线材料电阻导致的焦耳热损耗；
2. 介质损耗：绝缘材料极化引起的能量耗散；
3. 阻抗失配：馈线与天线阻抗不匹配引发的反射功率损失。

   理想状态下，发射效率趋近于100%，但实际工程中常受限于上述因素。

---

二、半导体物理中的定义

在发光二极管（LED）与激光器领域，发射效率描述电能转换为光能的效能，分为两类：

1. 内量子效率（IQE）：

   指半导体材料内电子-空穴对复合时产生光子的比例，计算公式为：

   $$

   eta_{text{IQE}} = frac{text{辐射复合速率}}{text{总复合速率}}

   $$

2. 外量子效率（EQE）：

   涵盖内部损耗与光提取效率，表示最终输出光子数与注入电子数的比值。

---

权威参考来源

1. 《英汉电子工程词典》（科学出版社）：定义发射效率为“辐射功率与输入功率之比”，强调其在电磁波传播中的物理意义。
2. IEEE标准术语库（IEEE Std 145-2013）：明确区分天线效率与辐射效率，规范工程应用场景的量化标准。
3. 《半导体器件物理》（施敏著）：系统分析载流子注入效率对光电器件性能的影响机制，奠定理论基础。

网络扩展解释

发射效率是电子器件中衡量载流子有效注入能力的重要参数，特指在半导体器件（如晶体管）中，发射极电子电流占总发射极电流的比例。其核心定义和计算方式如下：

1. 定义公式
   发射效率的数学表达式为：
   $$gamma0 = frac{I{ne}}{IE} = frac{I{ne}}{I{ne} + I{pe}}$$
   其中：

   • (I_{ne}) 表示发射极的电子电流（多数载流子）
   • (I_{pe}) 表示发射极的空穴电流（少数载流子）
   • (I_E) 为发射极总电流（）

2. 物理意义
   该参数反映了发射极向基区注入有用载流子（电子）的效率。理想情况下，发射效率应接近100%，即空穴电流 (I_{pe}) 趋近于零，此时电子成为主导的导电载流子。

3. 影响因素

   • 掺杂浓度：发射区高掺杂可减少空穴反向注入，提高发射效率。
   • 材料特性：半导体材料的能带结构和载流子迁移率直接影响电子与空穴的比例。
   • 温度：高温可能加剧少数载流子扩散，降低效率（）。

4. 应用场景
   发射效率是双极型晶体管（BJT）设计中的关键指标，直接影响电流放大系数。在雷达发射机等高频系统中，高效率设计可减少能量损耗，提升整体性能（）。

注：若需深入技术细节（如不同调制方式对发射机总效率的影响），建议参考电子工程专业文献或器件手册。

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