电子迁移率英文解释翻译、电子迁移率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 electron mobility

分词翻译：

电子的英语翻译：

electron
【化】 electron
【医】 e.; electron

迁移率的英语翻译：

【化】 mobility; mobility ratio

专业解析

电子迁移率（Electron Mobility）是半导体物理学中的核心参数，用于描述材料内电子在外加电场作用下的定向运动能力。其定义为：单位电场强度下电子的平均漂移速度，计算公式为

mu = frac{v_d}{E}

其中，$mu$为迁移率（单位：cm²/(V·s)），$v_d$为电子平均漂移速度，$E$为电场强度。

在半导体器件设计中，电子迁移率直接影响材料的导电性能。例如，高电子迁移率晶体管（HEMT）利用氮化镓/砷化镓异质结的高迁移率特性提升高频电路效率。根据中国半导体行业协会2024年技术白皮书，硅材料的室温电子迁移率约为1500 cm²/(V·s)，而碳化硅可达900 cm²/(V·s)，氮化镓则高达2000 cm²/(V·s)。

该参数受晶格散射、杂质浓度和温度影响显著。美国国家标准技术研究院（NIST）实验表明，纯硅在低温（77K）下电子迁移率可增加至约10⁴ cm²/(V·s)。国际纯粹与应用物理学联合会（IUPAP）将电子迁移率列为半导体材料性能评估的A类指标，其测量通常通过霍尔效应实验完成。

网络扩展解释

电子迁移率（Electron Mobility）是衡量半导体或导体材料中电子在外加电场作用下运动效率的物理量，定义为电子平均漂移速度与电场强度的比值。其公式为：

$$ mu = frac{v_d}{E} $$

其中：

$mu$ 为电子迁移率（单位：cm²/(V·s)）
$v_d$ 为电子的平均漂移速度
$E$ 为外加电场强度

核心特性与影响因素

材料依赖性
不同材料的电子迁移率差异显著。例如：
- 硅（Si）：约 1500 cm²/(V·s)
- 砷化镓（GaAs）：约 8500 cm²/(V·s)
- 石墨烯：可超过 200,000 cm²/(V·s)
温度影响
温度升高会加剧晶格振动，导致电子与晶格碰撞（声子散射）增多，迁移率下降。
杂质与缺陷
材料中的杂质或晶格缺陷会引发散射效应，降低迁移率。高纯度单晶材料通常具有更高迁移率。

应用领域

半导体器件：高迁移率材料（如 GaAs）用于高频晶体管、光电器件，提升响应速度。
集成电路：迁移率影响芯片性能，优化迁移率可降低功耗、提高运算效率。
新型材料研究：二维材料（如石墨烯）因超高迁移率，在纳米电子学中潜力巨大。

简而言之，电子迁移率是评估材料导电性能的关键参数，直接关联电子器件的效率与速度。