电子累增英文解释翻译、电子累增的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 electron avalenche

分词翻译：

电子的英语翻译：

electron
【化】 electron
【医】 e.; electron

累增的英语翻译：

【电】 avalanche

专业解析

"电子累增"是电子工程与半导体物理领域的重要概念，指电荷载体（如电子）在特定条件下持续聚集并形成梯度分布的现象。该术语的英文对应词为"electron accumulation"，常见于器件物理和集成电路研究中。

从微观机制分析，电子累增通常发生在半导体异质结界面或电场梯度区域，当载流子的注入速率超过复合速率时，电子浓度呈现非线性增长模式。其数学表达式可表示为： $$ frac{partial n}{partial t} = D_n abla n + mu_n abla cdot (nE) + G - R $$ 其中$n$为电子浓度，$D_n$为扩散系数，$mu_n$为迁移率，$E$为电场强度，$G$和$R$分别表示载流子产生与复合速率（参考《半导体器件物理基础》第三版）。

在工程应用中，该现象直接影响MOSFET阈值电压、太阳能电池转换效率等关键参数。美国国家标准技术研究院（NIST）2023年的研究显示，精准控制电子累增可使第三代半导体器件的开关损耗降低18%（NIST Technical Note 2235）。

权威文献中，《IEEE电子器件汇刊》将电子累增列为新型存储器研发的核心机理之一。与之易混淆的"电子积累层"概念，特指二维电子气在界面处的量子限制现象，两者在能带结构上存在本质区别（参见Springer《半导体异质结构物理》第7章）。

网络扩展解释

“电子累增”这一术语在中文中可能存在表述或翻译上的混淆。根据搜索结果和相关领域的常用表达，可能存在以下两种解释方向：

1.电子倍增（Electron Multiplication）

这是电子器件中的常见现象，指电子数量通过物理过程实现倍增。例如在光电倍增管中，光子撞击阴极产生初始电子，这些电子经过多级倍增极（dynode）的二次电子发射，最终形成可检测的电流信号。该过程属于受控的逐级放大机制。

2.雪崩效应（Avalanche Effect）

在半导体领域，雪崩击穿（Avalanche Breakdown）指高反向电压下，载流子（如电子）获得足够动能撞击原子产生新的电子-空穴对，形成链式反应的电流激增现象。该效应常见于雪崩光电二极管（APD）等器件中。

术语区分建议：

若指可控的电子数量放大，应使用“电子倍增”（Electron Multiplication）；
若指高电场下的链式反应，应使用“雪崩倍增”（Avalanche Multiplication）。

两种机制均涉及电子数量的急剧增加，但应用场景和物理原理不同。如需进一步讨论具体器件或场景，可提供更多上下文。