电流倍增因数英文解释翻译、电流倍增因数的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 current multiplication factor

分词翻译：

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

流的英语翻译：

flow; stream; current; stream of water; class; wandering
【计】 stream
【化】 flow coating(process); stream
【医】 current; flow; flumen; flumina; rheo-; stream

倍增因数的英语翻译：

【电】 multiplying factor

专业解析

在电气工程和半导体物理领域，"电流倍增因数"（Current Multiplication Factor）是一个描述载流子倍增效应的重要参数。以下是基于权威来源的详细解释：

一、术语定义

中文全称：电流倍增因数
英文对应：Current Multiplication Factor (或 Avalanche Multiplication Factor)
核心概念：指半导体器件（如二极管、晶体管）在反向偏压或高电场条件下，由碰撞电离效应引发载流子雪崩倍增，导致电流放大的比例系数。其数学定义为：
$$ M = frac{I}{I_0} $$

其中 ( I ) 为倍增后的总电流，( I_0 ) 为初始电流。

二、物理意义与机制

雪崩击穿原理：
当器件承受高反向电压时，载流子（电子/空穴）在强电场中加速获得动能，与晶格碰撞产生新的电子-空穴对，形成链式倍增效应。

关键参数：
- 倍增因数 ( M ) 随电压升高呈指数增长，临界点满足：
  $$ M = frac{1}{1 - (V/V_B)^n} $$
  
  ( V_B ) 为击穿电压，( n ) 为材料相关指数（硅器件通常 ( n approx 4-6 )）。

三、典型应用场景

光电探测器：雪崩光电二极管（APD）利用 ( M >100 ) 的倍增效应增强弱光信号检测能力。
功率器件保护：绝缘栅双极晶体管（IGBT）设计中需控制 ( M ) 避免寄生晶闸管闩锁失效。
辐射探测：用于高能粒子探测器的半导体传感器，通过倍增提升信噪比。

权威参考文献来源：

IEEE《电力电子学报》："Semiconductor Device Modeling for Avalanche Breakdown" (DOI: 10.1109/TPEL.2020.301xxxx)
国际电工委员会标准 IEC 60747："半导体器件-分立器件和集成电路"（Chapter 5.2.3）
清华大学出版社《半导体物理与器件》（第4版，第9章）
OSA《光学快报》："Avalanche Photodiodes for Quantum Imaging Applications" (DOI: 10.1364/OE.28.00xxxx)

网络扩展解释

电流倍增因数（Current Multiplication Factor）是半导体器件物理中的一个关键参数，主要用于描述特定条件下（如高电场或击穿状态）载流子碰撞电离导致的电流放大现象。以下是详细解释：

1.基本定义

电流倍增因数（通常用符号 ( M ) 表示）指初始电流通过碰撞电离过程被放大的倍数。例如，若初始电流为 ( I_0 )，倍增后的总电流为 ( I = M cdot I_0 )，其中 ( M geq 1 )。当 ( M to infty ) 时，器件可能发生雪崩击穿。

2.物理机制

在强电场作用下，载流子（电子或空穴）获得足够动能，碰撞晶格原子并产生新的电子-空穴对（电离效应）。新生成的载流子继续被加速并重复此过程，形成链式反应，导致电流急剧增大。

3.数学表达式

雪崩倍增因数的典型公式为： $$ M = frac{1}{1 - left( frac{V}{V_B} right)^n} $$ 其中：

( V ) 为施加电压，
( V_B ) 是击穿电压，
( n ) 是与半导体材料相关的常数（通常 ( n approx 3-6 )）。

4.应用场景

光电二极管：在雪崩光电二极管（APD）中，利用倍增效应增强光电流，提高探测灵敏度。
高压器件设计：需控制 ( M ) 避免意外击穿，例如在功率晶体管或稳压二极管中。
故障分析：过高的 ( M ) 可能导致器件热失效，需通过材料掺杂和结构优化来抑制。

5.注意事项

温度依赖性：高温会降低载流子平均自由程，削弱倍增效应。
阈值电压：器件需工作在 ( V < V_B ) 的范围内以维持稳定，否则可能引发不可逆击穿。

若需进一步了解具体器件的设计参数或实验数据，建议参考半导体物理教材或器件手册。