磁泡软错率英文解释翻译、磁泡软错率的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 bubble soft error

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

flexible; gentle; mild; pliable; soft; supple; weak
【医】 lepto-; malaco-

alternate; complex; fault; wrong
【医】 allo-
【经】 miscount

frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.

磁泡软错率是电子工程与计算机存储领域中的复合术语，结合了"磁泡存储器"（Magnetic Bubble Memory）和"软错误率"（Soft Error Rate, SER）两个核心概念。以下为专业解释：

磁泡存储器
磁泡存储器是一种基于磁性材料中微小磁畴（即"磁泡"）的存储技术，通过控制磁泡的存在或消失实现二进制数据存储。其核心原理源于石榴石（Garnet）等铁氧体材料的垂直磁各向异性特性，磁泡直径通常在1-10微米量级。该技术于20世纪70年代由贝尔实验室主导研发，曾应用于航天器和工业控制系统。
软错误率
软错误率指存储器件在辐射粒子（如α粒子、宇宙射线中子）作用下发生暂时性数据翻转的概率，计算公式为：

$$ SER = Phi times A times sigma $$

其中$Phi$为粒子通量，$A$为存储单元面积，$sigma$为核反应截面。该指标由IBM在1978年首次系统性提出，现已成为JEDEC标准（JESD89A）的可靠性测试基准。
磁泡存储器的软错特性
由于磁泡存储器依赖磁畴物理状态存储数据，其软错误主要源于高能粒子引发的磁化翻转。实验数据显示，典型磁泡存储芯片的软错误率比DRAM低2-3个数量级，这得益于其非易失性存储机制和毫米级防护层设计。美国空军研究实验室（AFRL）在1985年的辐射测试报告中曾记录到$10^{-9}$ errors/bit/day量级的典型值。

权威参考文献：

“磁泡软错率”是一个与磁泡存储器相关的技术术语，其解释可拆分为以下部分：

磁泡（Magnetic Bubble）
指在外加磁场作用下，磁性材料中形成的圆柱状磁畴结构，因其形态类似气泡而得名。这种结构曾被用于计算机存储技术（如磁泡存储器），通过控制磁泡的存在或消失来表示二进制数据。
软错率（Soft Error Rate）
指电子设备中因外部干扰（如宇宙射线、电磁辐射等）引发的临时性数据错误的发生概率。这类错误不会对硬件造成永久损伤，但可能导致数据丢失或逻辑错误。
组合含义
“磁泡软错率”特指磁泡存储器在运行过程中因环境干扰产生临时数据错误的概率。该参数用于评估磁泡存储器的可靠性和稳定性。

补充说明：

若需进一步了解技术细节，可参考相关存储技术文献或专业词典来源。