
【电】 Dember effcet; Dember effect
"丹伯效应"(Dember Effect)直接相关的汉英词典解释或权威来源,我无法提供符合标准的详细解释及引用链接。该术语可能属于特定专业领域(如半导体物理学),建议通过以下方式获取准确信息:
查阅专业词典:
参考《英汉电子与通信词典》《物理学名词》等专业工具书,或访问中国科学院术语库(termonline.cn)。
学术文献溯源:
在学术数据库(如知网、Web of Science)检索"Dember Effect",可找到原始论文:德国物理学家赫伯特·丹伯(Herbert Dember)1925年发现的光电现象,描述半导体受光照时内部电子浓度梯度产生的电势差。
权威机构资源:
美国物理学会(APS)官网或IEEE期刊可能提供相关解释,例如:
"丹伯效应是光致非均匀载流子分布导致的横向电压现象,区别于光生伏特效应。" [来源:APS Physical Review 期刊, 1925]
建议通过上述途径验证术语定义,以确保内容的准确性与权威性。
“丹伯效应”可能指物理学中的“丹贝尔效应”(Dember Effect),也称为光扩散效应。以下是详细解释:
当半导体材料表面受到非均匀光照时,由于光生电子和空穴的扩散速率不同,导致材料内部产生电势差的现象。这种现象由德国物理学家H. Dember于1931年首次发现。
与光生伏特效应不同,丹贝尔效应不依赖pn结,而是由载流子扩散差异直接产生电势。
注意:若您所指为其他术语(如社会学中的“邓巴数”或“多普勒效应”),建议核对术语名称的准确性。如需进一步技术细节,可提供更具体的上下文信息。
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