穿通现象英文解释翻译、穿通现象的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 punch through

【计】 punch through
【医】 canalization; fenestration

phenomenon; appearance
【化】 phenomenon
【医】 phenomenon
【经】 phenomenon

"穿通现象"在汉英词典中对应"penetration phenomenon"或"punch-through phenomenon"，指物质或能量突破原有边界层的特殊传导机制。该术语在工程学与物理学领域具有双重内涵：

基础定义
根据《新时代汉英科技大词典》（第二版），穿通现象描述电流突破半导体PN结势垒形成非平衡载流子注入的过程。在电力电子器件中特指绝缘层失效导致的异常导通状态。
工程学应用
《英汉电子工程术语手册》指出，该现象在功率MOSFET器件中表现为源漏极间形成寄生双极晶体管效应，可能引发热失控。国际电气与电子工程师协会（IEEE）标准中将其列为功率器件可靠性评估指标。
物理机制
量子力学视角下，该现象与势垒穿透效应存在关联。根据Springer出版的《半导体器件物理》，穿通电压可通过以下公式计算：

$$

V_{pt} = frac{qN_D W}{2epsilon_s}

$$

其中N_D为掺杂浓度，W为耗尽层宽度，ε_s为介电常数。

“穿通现象”在不同领域有特定含义，以下是综合解释：

在电工或换流技术中，穿通现象指阀或换流臂暂时失去正向阻断能力，导致电流在非导通状态下异常流过。例如，在可控硅等器件中，可能因电压过高或设计缺陷引发此现象，影响设备稳定性。

晶体管中的穿通现象（Punchthrough）指电场强度过高导致耗尽区贯穿基区，使集电极与发射极直接导通。这种现象常见于沟道长度缩短、结深变浅的器件，可能引发漏电流增加或器件失效。

广义上，“穿通”可表示贯通或疏通，如《淮南子》中“穿通窘滞”指消除阻塞。但在技术语境中多特指上述专业场景。

如需更深入的技术细节，可参考电力电子或半导体物理相关文献。