
【计】 plate wire memory
plating
clue; line; string; stringy; thread; tie; verge; wire
【医】 line; line Of occlusion; linea; lineae; lineae poplitea; mito-; nemato-
soleal line; strand; thread
【经】 line
storage; store
【计】 M; memorizer; S
镀线存储器(Plated Wire Memory)是一种早期计算机使用的非易失性存储技术,其核心原理基于磁性材料的磁化状态存储数据。该存储器由表面镀有磁性合金的细金属导线构成,通过电流脉冲改变导线局部区域的磁化方向,实现二进制信息的写入与读取。在20世纪60年代至70年代,该技术因抗辐射性强、可靠性高的特点,曾被应用于航天器控制系统和军事设备中(参考:IEEE Xplore数字图书馆)。
从汉英词典角度解析,“镀线”对应英文"plated wire",指经过电镀工艺处理的导线;“存储器”译为"memory",指数据存储装置。其技术实现结合了电磁学与材料工程学原理,存储单元密度可达每英寸100位,访问时间在微秒级(参考:《计算机存储技术发展史》,剑桥大学出版社)。该技术虽已逐步被半导体存储器取代,但其设计理念仍影响现代磁阻式随机存取存储器(MRAM)的研发(参考:Nature Electronics期刊)。
镀线存储器是早期计算机存储技术的一种形式,其核心特点如下:
定义与历史背景
镀线存储器(英语:Plated Wire Memory)是磁芯存储器的分支技术,由贝尔实验室于1957年研发。它通过涂覆磁性材料的导线网格实现数据存储,属于非易失性存储器。
结构特点
工作原理与优势
与磁芯存储器类似,但支持非破坏性读取(无需重刷新数据),且机械组装成本低于手工组装的磁芯。这一特性使其在早期计算机系统中具有潜在的成本优势。
技术地位
作为1950-60年代的过渡技术,镀线存储器在半导体存储器普及前曾应用于部分早期计算机,但最终被更高效的存储技术取代。
注:此术语在中文资料中较少见,英文文献中常用"Plated Wire Memory"或"Twistor Memory"指代。
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