
【計】 plate wire memory
plating
clue; line; string; stringy; thread; tie; verge; wire
【醫】 line; line Of occlusion; linea; lineae; lineae poplitea; mito-; nemato-
soleal line; strand; thread
【經】 line
storage; store
【計】 M; memorizer; S
鍍線存儲器(Plated Wire Memory)是一種早期計算機使用的非易失性存儲技術,其核心原理基于磁性材料的磁化狀态存儲數據。該存儲器由表面鍍有磁性合金的細金屬導線構成,通過電流脈沖改變導線局部區域的磁化方向,實現二進制信息的寫入與讀取。在20世紀60年代至70年代,該技術因抗輻射性強、可靠性高的特點,曾被應用于航天器控制系統和軍事設備中(參考:IEEE Xplore數字圖書館)。
從漢英詞典角度解析,“鍍線”對應英文"plated wire",指經過電鍍工藝處理的導線;“存儲器”譯為"memory",指數據存儲裝置。其技術實現結合了電磁學與材料工程學原理,存儲單元密度可達每英寸100位,訪問時間在微秒級(參考:《計算機存儲技術發展史》,劍橋大學出版社)。該技術雖已逐步被半導體存儲器取代,但其設計理念仍影響現代磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)的研發(參考:Nature Electronics期刊)。
鍍線存儲器是早期計算機存儲技術的一種形式,其核心特點如下:
定義與曆史背景
鍍線存儲器(英語:Plated Wire Memory)是磁芯存儲器的分支技術,由貝爾實驗室于1957年研發。它通過塗覆磁性材料的導線網格實現數據存儲,屬于非易失性存儲器。
結構特點
工作原理與優勢
與磁芯存儲器類似,但支持非破壞性讀取(無需重刷新數據),且機械組裝成本低于手工組裝的磁芯。這一特性使其在早期計算機系統中具有潛在的成本優勢。
技術地位
作為1950-60年代的過渡技術,鍍線存儲器在半導體存儲器普及前曾應用于部分早期計算機,但最終被更高效的存儲技術取代。
注:此術語在中文資料中較少見,英文文獻中常用"Plated Wire Memory"或"Twistor Memory"指代。
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