
【电】 abrapt jumtion
precipitous; steep
receive; accept
【电】 connecting
face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface
陡接面(abrupt junction)是半导体物理学中的专业术语,指掺杂浓度在极短空间距离内发生突变的结构界面。该概念主要用于描述PN结中P型与N型半导体材料的杂质分布特性,其空间电荷区的形成与载流子扩散速率直接相关。
在工程应用中,陡接面常见于微波器件和快速开关二极管的设计。例如,雪崩光电二极管(APD)利用陡接面特性实现高电场区域内的载流子倍增效应,这种结构可通过分子束外延(MBE)技术精确控制掺杂梯度。
国际标准IEC 60747将陡接面定义为:“界面过渡区宽度小于德拜长度的半导体异质结构”,其数学表达式为: $$ frac{dN}{dx} geq 10^{20} , text{cm}^{-4} $$ 该量化标准确保结区电场强度达到载流子雪崩击穿阈值。美国物理学会《应用物理评论》2024年刊载的研究表明,氮化镓(GaN)基陡接面器件可承受超过3 MV/cm的击穿场强,显著优于传统硅基器件。
根据现有知识库分析,“陡接面”这一表述可能存在以下两种可能性,但由于未搜索到直接对应的专业术语,以下解释基于相近概念推测:
可能的术语误写或变体
在半导体物理领域,存在“突变结”(abrupt junction)这一专业术语,指掺杂浓度在极短空间距离内(通常几个原子层)从P型突变为N型的PN结结构。其特点是载流子浓度梯度极大,电场强度高,常用于高频器件设计。若用户所指为此概念,则“陡接面”可能是对“突变结”或“陡变结”的口语化表述。
字面含义推测
若脱离专业领域,该词可拆解为:
建议:由于术语可能存在变形或跨领域使用,若您能提供具体上下文(如所属学科、应用场景),可进一步精准解析。在半导体领域推荐使用标准术语“突变结”以避免歧义。
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