晶体检波器的特性曲线英文解释翻译、晶体检波器的特性曲线的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 characteristic curve of crystal detector

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal

radiodetector
【计】 detector

especially; special; spy; unusual; very
【化】 tex

curve
【医】 curve
【经】 curve

晶体检波器的特性曲线（Crystal Detector Characteristic Curve）是描述该器件输入信号与输出响应关系的关键参数图表。在早期无线电工程中，晶体检波器通过金属触须与半导体晶体（如方铅矿）接触实现高频信号检波，其特性曲线主要包含以下核心特征：

非线性响应区域
曲线在低电压段呈现显著的非线性，表现为输出电流与输入电压的非比例关系。这种特性源于晶体接触点处的肖特基势垒效应，微小电压变化即可引发显著的电流变化。
阈值电压点（Threshold Voltage）
曲线拐点对应器件的最小有效检波电压，典型值约为0.1-0.3V。此参数决定了晶体检波器在微弱信号环境下的灵敏度极限，相关数据可参考《无线电接收技术手册》（人民邮电出版社，1982年）第三章。
饱和区域
当输入电压超过临界值（约0.5V）时，曲线趋于平缓，此时检波效率下降并伴随谐波失真。该现象与接触点载流子注入饱和机制直接相关，实验数据见IEEE早期论文《Crystal Rectifiers for Ultra-High Frequencies》（Proceedings of the IRE, 1946）。

工程应用中，特性曲线的斜率（动态电导）和曲率系数是评估检波效率的核心指标。美国国家标准局1943年发布的《Crystal Detector Test Procedures》提供了标准测量方法，包括使用可调谐射频源与微安表构建的测试平台。

晶体检波器的特性曲线是描述其输出电流（或电压）与输入微波功率或电场强度之间关系的曲线。以下是关键解释：

数学关系与检波律
特性曲线的核心公式为： $$ I = kE^n $$ 其中，( I ) 为输出电流，( E ) 为微波电场强度，( n ) 为检波律，( k ) 为比例常数。
- 平方律检波：当输入功率较低（通常低于1μW）时，( n approx 2 )，即输出电流与功率成正比。
- 非线性偏离：功率超过10μW时，( n ) 偏离2，曲线呈现非线性，输出与输入不再呈线性关系。
曲线形态与功率影响
- 在低功率区，曲线近似为抛物线；随着功率增加，曲线斜率逐渐减小，趋于平缓。
- 实际应用中，需通过实验校准曲线，因不同二极管特性差异大，且同一管随时间可能出现不稳定性。
应用注意事项
- 晶体检波器仅适用于指示相对功率，无法直接测量绝对功率值。
- 需根据工作功率范围选择检波律。例如，功率小于1μW时可默认平方律；若超过1μW，需通过驻波场强测量法重新标定( n )值。

该曲线是评估检波器性能的核心依据，反映了非线性响应特性，实际使用中需结合功率范围和校准数据修正测量结果。