净掺杂英文解释翻译、净掺杂的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 net doping

clean; completely; net; only
【经】 net

*****erate; *****eration; intermingle
【计】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【医】 *****eration

在半导体物理与器件工程领域，"净掺杂"（Net Doping）指半导体材料中有效活性杂质浓度的净平衡值。其核心含义和要点如下：

汉语定义
净掺杂指施主杂质（Donor）浓度 (N_D) 与受主杂质（Acceptor）浓度 (NA) 的代数差，即 (N{text{net}} = |N_D - N_A|)。它决定了半导体的导电类型（N型或P型）和载流子浓度。

来源：IEEE电子器件学会术语标准（IEEE EDS Glossary）。
英文对应术语
- Net Doping: 直接对应"净掺杂"，强调有效掺杂浓度的净效应。
- Effective Doping Concentration: 突出其对电学特性的实际影响。
  来源：SEMI（国际半导体产业协会）标准术语库。

导电类型决定
- 若 (N_D > N_A)，净掺杂为正，材料为N型，多子为电子；
- 若 (N_A > N_D)，净掺杂为负，材料为P型，多子为空穴。
  公式表达：
  
  $$ n approx N_D - N_A quad text{(N型)} p approx N_A - N_D quad text{(P型)} $$
  
  来源：《半导体器件物理》（施敏著，第4章）。
载流子浓度控制
净掺杂浓度直接影响费米能级位置、载流子迁移率及器件阈值电压。例如，MOSFET中沟道区的净掺杂浓度决定其开启电压。

来源：IEEE Transactions on Electron Devices（Vol. 65, Issue 3）。

工艺关键参数
在离子注入或扩散工艺中，需精确控制净掺杂浓度以调节器件性能。典型值范围：(10^{15} text{ cm}^{-3})（低功耗器件）至 (10^{18} text{ cm}^{-3})（高频器件）。

来源：国际半导体技术路线图（ITRS 2015 Edition）。
测量技术
- 四探针法：通过电阻率反算净掺杂浓度；
- CV profiling：利用电容-电压特性提取掺杂分布。
  来源：《半导体材料表征技术》（Schroder著，第7章）。

来源：美国国家标准与技术研究院（NIST）半导体手册。

“净掺杂”是材料科学和半导体物理领域的术语，主要指材料中有效掺杂浓度的净值，通常用于描述半导体中载流子的浓度差异。以下是详细解释：

净掺杂指材料中施主杂质（提供自由电子的掺杂）与受主杂质（提供空穴的掺杂）的浓度差值。公式为： $$ N_{text{净}} = N_d - N_a $$ 其中，$N_d$为施主浓度，$Na$为受主浓度。若$N{text{净}}>0$，材料呈N型导电；若$N_{text{净}}<0$，则为P型导电。

若硅中掺入磷（施主，浓度$1×10^{17} text{cm}^{-3}$）和硼（受主，浓度$5×10^{16} text{cm}^{-3}$），则净掺杂浓度为$5×10^{16} text{cm}^{-3}$，材料为N型。

注：以上解释综合了“掺杂”的基础概念（来自）及半导体领域的扩展含义。若需更专业的公式推导或实验数据，建议参考半导体物理相关文献。