淨摻雜英文解釋翻譯、淨摻雜的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 net doping

clean; completely; net; only
【經】 net

*****erate; *****eration; intermingle
【計】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【醫】 *****eration

在半導體物理與器件工程領域，"淨摻雜"（Net Doping）指半導體材料中有效活性雜質濃度的淨平衡值。其核心含義和要點如下：

漢語定義
淨摻雜指施主雜質（Donor）濃度 (N_D) 與受主雜質（Acceptor）濃度 (NA) 的代數差，即 (N{text{net}} = |N_D - N_A|)。它決定了半導體的導電類型（N型或P型）和載流子濃度。

來源：IEEE電子器件學會術語标準（IEEE EDS Glossary）。
英文對應術語
- Net Doping: 直接對應"淨摻雜"，強調有效摻雜濃度的淨效應。
- Effective Doping Concentration: 突出其對電學特性的實際影響。
  來源：SEMI（國際半導體産業協會）标準術語庫。

導電類型決定
- 若 (N_D > N_A)，淨摻雜為正，材料為N型，多子為電子；
- 若 (N_A > N_D)，淨摻雜為負，材料為P型，多子為空穴。
  公式表達：
  
  $$ n approx N_D - N_A quad text{(N型)} p approx N_A - N_D quad text{(P型)} $$
  
  來源：《半導體器件物理》（施敏著，第4章）。
載流子濃度控制
淨摻雜濃度直接影響費米能級位置、載流子遷移率及器件阈值電壓。例如，MOSFET中溝道區的淨摻雜濃度決定其開啟電壓。

來源：IEEE Transactions on Electron Devices（Vol. 65, Issue 3）。

工藝關鍵參數
在離子注入或擴散工藝中，需精确控制淨摻雜濃度以調節器件性能。典型值範圍：(10^{15} text{ cm}^{-3})（低功耗器件）至 (10^{18} text{ cm}^{-3})（高頻器件）。

來源：國際半導體技術路線圖（ITRS 2015 Edition）。
測量技術
- 四探針法：通過電阻率反算淨摻雜濃度；
- CV profiling：利用電容-電壓特性提取摻雜分布。
  來源：《半導體材料表征技術》（Schroder著，第7章）。

來源：美國國家标準與技術研究院（NIST）半導體手冊。

“淨摻雜”是材料科學和半導體物理領域的術語，主要指材料中有效摻雜濃度的淨值，通常用于描述半導體中載流子的濃度差異。以下是詳細解釋：

淨摻雜指材料中施主雜質（提供自由電子的摻雜）與受主雜質（提供空穴的摻雜）的濃度差值。公式為： $$ N_{text{淨}} = N_d - N_a $$ 其中，$N_d$為施主濃度，$Na$為受主濃度。若$N{text{淨}}>0$，材料呈N型導電；若$N_{text{淨}}<0$，則為P型導電。

若矽中摻入磷（施主，濃度$1×10^{17} text{cm}^{-3}$）和硼（受主，濃度$5×10^{16} text{cm}^{-3}$），則淨摻雜濃度為$5×10^{16} text{cm}^{-3}$，材料為N型。

注：以上解釋綜合了“摻雜”的基礎概念（來自）及半導體領域的擴展含義。若需更專業的公式推導或實驗數據，建議參考半導體物理相關文獻。