
【电】 grid locking
grid
【化】 grid
closedown
【计】 degating; latch-up
【医】 atresia; atreto-; clausura; imperforation
栅极闭锁(Latch-up)是半导体器件中由寄生双极晶体管结构引发的异常导通现象,属于CMOS集成电路的典型失效机制。该现象发生时,寄生PNPN结构形成正反馈回路,导致电源与地之间出现低阻抗通路,可能引发器件过热或永久性损坏。
作用机制:
防护技术:
国际电子器件会议(IEDM)历年论文集收录了多个工艺改进方案,IEEE Xplore数据库可查得相关失效分析案例。具体设计规范可参考JEDEC标准JESD78(最新版为2021年修订版)。
“栅极闭锁”是由“栅极”和“闭锁”组合而成的术语,需分别解释其含义后综合理解:
栅极是电子管或半导体器件中的关键电极:
闭锁在不同领域有不同含义:
结合两者,“栅极闭锁”可能指:
现有搜索结果未明确提及该术语的专业定义,建议结合具体应用领域(如半导体、电力电子)进一步核实。
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