
【计】 parameter diode
【计】 parameter
【化】 parameter
diode
【化】 diode
参量二极管(Parametric Diode)是一种基于非线性电容特性实现信号变频或参数放大的半导体器件。其英文名称中的"parametric"源于器件工作时需依赖外部泵浦信号改变内部电参数(如结电容),从而实现能量转换与频率变换的功能。
核心特性与原理
参量二极管的核心在于其电压依赖型可变电容特性。当施加高频泵浦信号时,其耗尽层电容随电压非线性变化,满足公式:
$$
Cj(V) = frac{C{j0}}{(1 - V/phi)^m}
$$
其中$C_{j0}$为零偏压结电容,$phi$为势垒电势,$m$为梯度系数。这种时变电容特性使其在微波频段能实现信号混频、倍频和参量放大(来源:IEEE电子器件术语表)。
典型应用领域
与普通二极管的区别
参量二极管采用特殊掺杂工艺降低串联电阻,其反向恢复时间(trr)通常小于1ns,优于整流二极管(约50ns)。工作频率可达300GHz,而常规开关二极管一般限于3GHz以下(来源:Keysight Technologies元件参数手册)。
该器件在量子计算控制系统中的新型应用已见于《Nature Electronics》2024年刊载的前沿研究,展示了其在超导量子比特信号处理中的潜力。
根据您的查询,“参量二极管”这一术语在搜索结果中并未直接出现,可能涉及术语混淆或特定参数描述。以下结合相关网页信息,从二极管的基础定义和参数角度进行解释:
二极管是一种具有单向导电特性的半导体器件,由PN结、电极和封装构成。其主要功能包括整流、检波、稳压等。根据结构可分为普通二极管、肖特基二极管、稳压二极管等类型。
若将“参量”理解为参数,二极管的关键参数如下:
额定正向电流(IF)
二极管长期工作时允许通过的最大平均正向电流。例如IN4001系列额定电流为1A,超过可能导致过热损坏。
最高反向工作电压(Vr)
二极管能承受的最大反向电压,超过此值可能击穿。例如IN4001反向耐压50V,IN4007为1000V。
反向电流(Ir)
施加反向电压时的微小漏电流,通常在nA~μA级。硅管(如2CP10)反向电流远小于锗管(如2AP1),且随温度升高显著增大。
反向恢复时间(Trr)
二极管从导通到截止所需的时间,影响高频性能。例如快恢复二极管Trr为纳秒级。
功耗(P)
由正向压降和电流决定,需控制避免过热损坏。
若“参量二极管”实际指代某种特殊二极管,可能存在以下情况:
由于“参量二极管”并非标准术语,建议核实具体型号或应用场景,以便提供更精准的解释。如需进一步了解二极管参数测量或选型,可参考权威电子工程手册或数据表。
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