低電平邏輯英文解釋翻譯、低電平邏輯的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 low-level logic

分詞翻譯：

低的英語翻譯：

hang down; low; lowness
【醫】 hyp-; hypo-

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

平的英語翻譯：

calm; draw; equal; even; flat; peaceful; plane; smooth; suppress; tie
【醫】 plano-

邏輯的英語翻譯：

logic
【計】 logic
【經】 logic

專業解析

在電子工程領域，"低電平邏輯"（Low-Level Logic）是數字電路中最基本的概念之一，指代用較低電壓範圍表示二進制狀态“0”的電路設計規範。其核心含義和要點如下：

一、基礎定義與電壓标準

低電平邏輯規定：當電路節點的電壓處于特定低電壓範圍時，該信號被識别為邏輯“0”（假）。其具體阈值因技術标準而異：

TTL标準：電壓 ≤ 0.8V 為低電平（如經典74系列芯片）
CMOS标準：電壓 ≤ 1/3 V~CC~（電源電壓）為低電平（如4000系列芯片）
例如：5V供電的CMOS電路中，≤1.67V即視為低電平。

二、物理實現原理

低電平邏輯通過半導體器件實現電信號與邏輯狀态的映射：

晶體管開關特性：
當雙極型晶體管（BJT）或MOSFET的基極/栅極為低電平時，開關管截止，輸出端被下拉電阻拉至低電位，對應邏輯“0”

$$V{text{out}} = 0 quad text{when} quad V{text{in}} < V_{text{IL(max)}}$$

噪聲容限：
實際設計需保證 $V{text{OL(max)}} < V{text{IL(max)}}$，形成噪聲裕度（Noise Margin），防止誤觸發。

三、系統級應用特性

邏輯門行為：
在AND/NAND等門電路中，任一輸入為低電平将直接決定輸出狀态（如74LS00與非門：輸入有低則輸出高）。

總線通信協議：
I²C等協議利用開漏輸出結構，通過主動拉低電平實現多設備仲裁（Wire-AND邏輯）。

功耗優化：
CMOS電路在靜态時，理想情況下低電平路徑無直通電流，功耗趨近于零。

四、典型電路示例（反相器）

 Vcc
│
R
│
輸入─┬───┤BJT基極
││
│C───輸出
││
└───┤
│
 GND

當輸入為低電平（<0.7V）時，BJT截止，輸出被上拉電阻R提至高電平（邏輯“1”）。

參考文獻

Horowitz & Hill, The Art of Electronics, 3rd Ed., Cambridge Univ. Press, 2015 (Sec. 10.1)
Texas Instruments, TTL Logic Voltage Levels (SNLA009), 1997
JEDEC Standard JESD8-B, Interface Voltage Levels, 1999
Fairchild Semiconductor, CMOS Cookbook, 2nd Ed., 2002 (Ch.2)

網絡擴展解釋

在數字電路和邏輯設計中，“低電平邏輯”通常指用較低電壓（如0V或接近0V）表示邏輯狀态的一種方式。以下是詳細解釋：

1.基本定義

低電平：指電路中電壓接近參考地（GND）的狀态，例如在TTL标準中，0V至0.8V被視為低電平。
邏輯對應：低電平可能表示邏輯“0”（正邏輯系統）或邏輯“1”（負邏輯系統），需結合具體系統定義判斷。

2.典型應用場景

控制信號：如複位（RESET）、使能（ENABLE）等信號常采用低電平有效（例如：拉低至0V時觸發動作）。
抗幹擾設計：低電平信號在長距離傳輸中抗幹擾能力較強，因為噪聲更易疊加到高電平上。

3.與高電平邏輯的對比

特性	低電平邏輯	高電平邏輯
電壓範圍	0V–0.8V（TTL标準）	2V–5V（TTL标準）
功耗	靜态功耗較低	可能因上拉電阻耗電
常見應用	中斷請求、複位電路	數據總線、時鐘信號

4.電路實現示例

邏輯門：例如“與非門”在輸入全為高電平時輸出低電平。
開漏輸出：通過下拉電阻将信號拉低，支持多設備總線共享（如I²C通信）。

5.注意事項

電平兼容性：不同器件（如TTL與CMOS）的低電平阈值可能不同，需匹配電壓标準。
噪聲容限：低電平需确保電壓波動不超出阈值範圍，避免誤觸發。

若需進一步了解具體電路設計或标準參數，建議參考數字電子技術基礎教材或器件數據手冊。