氮化钽電阻器英文解釋翻譯、氮化钽電阻器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 tantalum nitride resistor

分詞翻譯：

氮化钽的英語翻譯：

【機】 tantalum nitride

電阻器的英語翻譯：

resistor
【化】 resistor

專業解析

氮化钽電阻器 (Tantalum Nitride Resistor)

“氮化钽電阻器”是一個電子工程領域的專業術語，指一種使用氮化钽（Tantalum Nitride, TaN）薄膜作為電阻材料的電子元件。其核心含義可從漢英詞典角度拆解如下：

氮化钽 (Tantalum Nitride / TaN):
- 漢義：指由金屬钽（Tantalum）與氮元素（Nitrogen）化合形成的化合物。它是一種具有特定化學計量比的陶瓷材料（通常為TaN或Ta₂N）。
- 英義： A hard, ceramic-like compound formed by the chemical combination of tantalum (Ta) and nitrogen (N). It is known for its high chemical stability, good adhesion to substrates, and specific electrical properties, particularly its resistivity.
- 特性：在電阻器應用中，氮化钽薄膜因其相對較高的電阻率（約200 μΩ·cm）、良好的溫度系數（TCR, 通常為±50 ppm/℃或更低）、優異的長期穩定性和耐腐蝕性而被選用。它通常通過濺射等物理氣相沉積（PVD）工藝沉積在絕緣基闆（如陶瓷、矽）上。
電阻器 (Resistor):
- 漢義：一種兩端電子元件，其主要功能是對電流産生阻礙作用（即提供電阻），用于限制電流、分壓、設定工作點等。
- 英義： A passive two-terminal electrical component that implements electrical resistance as a circuit element. Its primary function is to reduce current flow, adjust signal levels, divide voltages, and bias active elements.
氮化钽電阻器 (Tantalum Nitride Resistor):
- 漢義：特指利用氮化钽薄膜的電阻特性制造而成的電阻器。這類電阻器通常屬于薄膜電阻器（Thin Film Resistor）的範疇。
- 英義： A specific type of thin film resistor where the resistive element is a thin layer of tantalum nitride deposited on an insulating substrate. It is valued for its precision, stability, and suitability for high-frequency applications due to low parasitic capacitance and inductance compared to some other resistor types.
- 特點與應用：
  - 高精度與穩定性：氮化钽電阻器以其優異的長期穩定性（老化率低）和較低的溫度系數（TCR）著稱，適用于需要高精度和穩定性的場合，如精密儀器、測量設備、醫療電子、航空航天電子等。
  - 高頻性能：薄膜結構使其具有較低的寄生電感和電容，適合高頻電路應用。
  - 可靠性：氮化钽材料本身化學性質穩定，耐腐蝕，使得電阻器在惡劣環境下也能保持良好性能。
  - 集成性：氮化钽薄膜工藝與半導體工藝兼容，常用于制造集成電路（IC）中的片上精密電阻或作為薄膜電阻網絡（如貼片電阻陣列）的一部分。

權威參考來源：

薄膜電阻技術概述：可參考電子元件制造領域的标準教材或行業綜述，如IEEE（電氣與電子工程師協會）相關期刊或會議論文集中關于薄膜電阻材料（Thin Film Resistor Materials）的章節。例如，讨論電阻材料特性時，氮化钽常被列為重要選項之一。
材料特性數據：權威的材料科學手冊或數據庫，如《CRC Handbook of Chemistry and Physics》或《Landolt-Börnstein》系列叢書，會提供氮化钽（TaN）的物理和電學性質（如電阻率、熱膨脹系數等）的詳細數據。
電子元件标準：國際電工委員會（IEC）或電子工業聯盟（EIA）等機構發布的關于固定電阻器的标準（如IEC 60115系列）會涵蓋薄膜電阻器的測試方法和性能要求，氮化钽電阻器作為其中一類需要符合這些标準。
制造商技術文檔：領先的電子元件制造商（如Vishay, Bourns, KOA Speer等）在其生産精密薄膜電阻器（包括使用TaN材料的）的産品技術規格書（Datasheet）和應用筆記中，會提供關于氮化钽電阻器性能、優勢和應用場景的詳細、權威的工程信息。

網絡擴展解釋

氮化钽電阻器是一種基于氮化钽（TaN）材料制成的薄膜電阻器件，具有獨特的物理和電學特性。以下從原理、性能、應用及工藝等方面詳細解釋：

一、基本原理

氮化钽電阻器通過化學氣相沉積法（CVD）在襯底上形成氮化钽薄膜。其電阻值與膜厚成正比，與膜寬成反比，通過調整薄膜的厚度和寬度可實現高精度電阻值控制。

二、核心性能特點

高穩定性：電阻值受溫度、電壓、時間等因素影響極小，在85°C/85%濕度環境下仍能保持穩定。
溫度特性優異：溫度系數（TCR）低至10 ppm/℃，高溫環境下電阻變化幅度小。
低噪聲特性：適用于精密測量設備、低噪聲放大器等場景。
高精度：公差可低至±0.05%，電阻範圍覆蓋10Ω-1MΩ。

三、主要應用領域

通信設備：用于基站、衛星通信系統等高頻信號處理。
汽車電子：符合AEC-Q200标準，耐受高硫、高濕環境。
醫療設備：在核磁共振儀等精密儀器中提供穩定電阻。
航空航天：應用于導航系統、高溫傳感器等極端環境。

四、制造工藝

采用化學氣相沉積法（CVD）制備薄膜，通過控制反應氣體（如NH₃、TaCl₅）比例和沉積參數，形成高純度、高均勻性薄膜。工藝過程包含光刻、蝕刻等微電子加工技術，最終形成五氧化二钽防潮保護層。

氮化钽電阻器憑借其獨特的材料特性，在高端電子領域具有不可替代性，特别適用于需要長期穩定性和環境耐受性的場景。其制造工藝與鎳鉻電阻類似，但性能指标顯著提升。