超小型集成電路英文解釋翻譯、超小型集成電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 nanocircuit

分詞翻譯：

超小型的英語翻譯：

【計】 microminiature

集成電路的英語翻譯：

integrated circuit
【計】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【經】 integrated circuit

專業解析

超小型集成電路（Ultra-Small-Scale Integration, USSI）是指将數百至數千個電子元件（如晶體管、電阻、電容）集成在單個半導體芯片上的微型化電路技術。其核心特征在于通過先進的微納加工工藝實現極小的物理尺寸和極高的元件密度，主要應用于對空間和功耗有嚴格限制的電子設備中。

一、技術特征與标準

元件密度與尺寸
典型USSI芯片的元件密度可達10³–10⁴個/平方毫米，芯片面積通常小于1mm²。引腳間距（Pitch）可縮至0.4mm以下（如QFP封裝），晶圓厚度可薄至100–200μm 。

工藝技術
采用深亞微米（<0.5μm）光刻技術，結合多層互連（Multi-Layer Interconnect）和矽通孔（TSV）實現三維集成，符合JEDEC MO-220封裝标準。

二、應用領域

便攜醫療設備：如植入式心髒起搏器（如Medtronic Micra系列），芯片體積<1cm³，功耗<10μW 。
航空航天系統：NASA的CubeSat衛星使用USSI模塊（尺寸10×10×10cm），集成傳感器與通信單元。
物聯網節點：BLE芯片（如Nordic nRF52840）面積<5mm²，支持Mesh組網。

三、權威定義參考

IEEE标準定義
IEEE Std 100-2000将USSI定義為“集成度介于SSI與MSI之間，門電路數100–999的集成電路” 。

中國國家标準
GB/T 9178-2021《微電子術語》明确其封裝形式包括CSP（Chip Scale Package）和WLP（Wafer Level Package）。

參考文獻來源

IEEE Standards Association. IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms. IEEE Std 100-2000.
國家市場監督管理總局. GB/T 9178-2021《微電子術語》.
Medtronic. Micra™ Transcatheter Pacing System Technical Manual. 2023.
NASA. CubeSat Design Specification Rev.14. 2022.
Nordic Semiconductor. nRF52840 Product Specification v1.8. 2023.

網絡擴展解釋

超小型集成電路是指通過更先進的工藝技術和封裝方式，将傳統集成電路的尺寸進一步縮小，實現更高集成度和更優性能的微型化電子器件。以下是詳細解釋：

1.核心定義與組成

超小型集成電路是在常規集成電路（IC）基礎上，通過微縮化技術将晶體管、電阻、電容等元件及互連線集成在更小的半導體晶片上。其核心特征是通過納米級工藝（如7nm、5nm等）或3D堆疊技術，顯著縮小芯片體積。

2.技術實現方式

工藝升級：采用光刻、蝕刻等精密加工技術，提升單位面積内的元件密度。
封裝優化：例如系統級封裝（SiP）、晶圓級封裝（WLP），減少外部連接線的體積。
材料創新：使用高遷移率半導體材料（如GaN、SiC）或新型介質材料，提升性能同時縮小尺寸。

3.主要特點

微型化：芯片面積可縮小至傳統IC的1/10甚至更小，適用于可穿戴設備、微型傳感器等。
低功耗：元件間距縮短，信號傳輸損耗降低，能耗效率提升。
高性能：高密度集成支持更複雜的電路功能，如AI加速、高頻信號處理。

4.應用領域

消費電子：如智能手表、無線耳機中的微型芯片。
醫療設備：植入式醫療器械（如心髒起搏器）需要超小型IC。
物聯網（IoT）：傳感器節點、RFID标籤依賴微型化電路實現分布式部署。

5.與常規IC的區别

維度	常規集成電路	超小型集成電路
典型工藝節點	90nm及以上	28nm及以下（或等效3D技術）
芯片面積	較大（如幾平方毫米）	極小（如1mm²以下）
應用場景	通用電子設備	空間受限的微型設備

超小型集成電路代表了半導體技術向微型化、高效化發展的趨勢，其核心是通過工藝、封裝和材料的綜合創新，在更小空間内實現更強大的功能。這一技術是推動現代便攜式電子産品和智能設備發展的關鍵基礎。