
【計】 complementary transistor circuit
互補晶體管電路(Complementary Transistor Circuit)是一種利用NPN型和PNP型雙極性結型晶體管(BJT)或N溝道與P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的電氣特性互為補充的特性構建的電路結構。其核心設計思想是通過兩種極性相反的器件協同工作,實現高效、對稱的信號放大或開關控制,尤其廣泛用于推挽式輸出級(Push-Pull Output Stage)設計中。
互補對稱性(Complementary Symmetry)
電路采用參數匹配的N型與P型晶體管作為配對管。當輸入信號為正半周時,NPN(或N-MOS)管導通負責電流放大;負半周時,PNP(或P-MOS)管導通工作。兩者交替導通形成完整周期輸出,顯著降低交越失真(Crossover Distortion)并提高效率。
無輸出變壓器設計(Transformerless Output)
傳統推挽電路需中心抽頭變壓器實現相位分割,而互補電路直接通過晶體管極性互補實現信號合成,簡化結構并擴展頻率響應範圍。
靜态功耗優化
理想狀态下,兩管在靜态(無輸入信號)時均處于截止區,僅存在微量漏電流,大幅降低待機功耗。此特性使其在電池供電設備(如便攜式音響、IoT設備)中具有優勢。
權威參考文獻:
- Sedra, A.S., & Smith, K.C. Microelectronic Circuits (Oxford University Press) - 推挽放大器設計原理
- Horowitz, P., & Hill, W. The Art of Electronics (Cambridge University Press) - 互補電路實踐分析
- Rashid, M.H. Power Electronics Handbook (Elsevier) - 功率器件應用
- Weste, N.H.E., & Harris, D.M. CMOS VLSI Design (Pearson) - CMOS技術基礎
互補晶體管電路是一種由兩種不同極性或類型的晶體管(如NPN與PNP型雙極晶體管、或N溝道與P溝道MOS管)組成的電路結構,通過交替導通實現互補工作模式。以下是具體解析:
一、核心結構與原理
二、技術優勢
三、典型應用場景
擴展說明:在CMOS電路中,互補結構體現為NMOS與PMOS的并聯組合,其邏輯功能通過兩管交替導通實現,例如非門(NOT)的基本結構即由一對互補MOS管構成。這種設計使電路在靜态時幾乎不消耗能量,成為現代集成電路的主流技術。
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