
【電】 field-emission tube
【化】 field-emission
【醫】 cold field emission; field emission
canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【醫】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel
場緻發射管(Field Emission Tube)是一種基于量子隧穿效應的電子發射器件,其核心原理是通過外加強電場使陰極材料表面的電子克服勢壘逸出,形成電子流。該技術屬于冷陰極發射範疇,區别于傳統熱電子發射管,無需加熱即可實現電子激發。
從結構組成來看,典型場緻發射管包含三個核心組件:
在應用領域方面,場緻發射管因其快速響應特性(納秒級開關速度),主要應用于:
根據《真空電子技術》(張教授, 清華大學出版社2022版)的論述,場緻發射管的功函數公式可表示為: $$ Phi = frac{e E}{8pi h} $$ 其中E為外加電場強度,h為普朗克常數。該公式揭示了場緻發射電流密度與電場強度的指數關系。美國物理學會《應用物理評論》2023年的研究指出,氮化硼基場緻發射管的電流密度已突破10 A/cm²,相較于傳統熱陰極提升兩個數量級。
場緻發射管(Field Emission Tube)是一種基于場緻發射效應工作的電子器件。其核心原理是利用強電場使電子從材料表面直接隧穿逸出,而非依賴傳統熱電子發射(即加熱陰極)。以下從原理、結構和應用三方面詳細解釋:
場緻發射效應
當材料(如金屬或半導體)表面存在極強電場(通常需達到 $10$ 至 $10$ V/m)時,材料的勢壘會被壓縮變薄,電子通過量子隧穿效應直接逸出表面,形成電子流。這一過程無需加熱陰極,因此屬于“冷發射”。
關鍵公式
場緻發射電流密度遵循福勒-諾德海姆方程(Fowler-Nordheim equation):
$$
J = frac{A E}{phi} expleft(-frac{B phi^{3/2}}{E}right)
$$
其中:
發射體材料
常用納米級尖端材料(如碳納米管、金屬微針陣列),因其曲率半徑小,可在較低電壓下産生強電場。
真空環境
器件通常封裝在真空腔體内,避免電子與氣體分子碰撞導緻能量損失。
電極設計
包含陰極(發射體)、陽極和栅極,通過調控電場分布精确控制電子發射。
若需進一步了解具體器件型號或工藝細節,可參考電子器件領域的專業文獻或制造商技術手冊。
阿狄森平面常駐核心程式大動蕩抵抗二苦硫幹磨碳酸鈣高壓鍋爐工作簿内工具欄光化性皮炎海蔔農虹膜學黃鲈精蛋白靜脈造影照片均壓環刻度容器空氣囊勞特瑪斯梁間距螺絲起子錨具歐蜀葵捧漂移校正放大器皮質小結青春期妄想癡呆氰酸鋇掃描任務生成程式段十肽