英語翻譯：

【計】 FET; field effect transistor

相關詞條：

1.fieldistor  2.unipolartransistor  3.field-effecttransistor(FET)  4.Gridistor  5.bipolartransistor  6.bigfet  

分詞翻譯：

場效應的英語翻譯：

【化】 field effect

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

場效應晶體管（Field-Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應控制電流的半導體器件，其核心工作原理是通過調節栅極電壓來改變導電通道的載流子濃度，從而實現對漏極-源極電流的精确控制。以下從結構、分類和應用三個層面進行解析：

1. 基本結構與術語對照

   場效應晶體管包含三個電極：栅極（Gate，G）、漏極（Drain，D）和源極（Source，S）。根據導電通道的形成方式，可分為增強型（Enhancement Mode）和耗盡型（Depletion Mode）。其英文術語對照體現了功能特性，例如"場效應"對應"Field-Effect"，強調電場對電流的調控作用。

2. 主要分類與物理機制

   • 結型場效應管（JFET）：通過PN結反向偏壓調節導電通道寬度，適用于低頻高阻抗電路。
   • 金屬-氧化物半導體場效應管（MOSFET）：采用絕緣栅結構，具有輸入阻抗高、功耗低的特性，是現代集成電路的基礎元件。根據載流子類型進一步分為N溝道和P溝道MOSFET。

3. 核心應用領域

   場效應晶體管廣泛應用于模拟開關（如射頻前端電路）、功率放大（如通信基站功放模塊）及數字集成電路（如CPU邏輯門設計）。其電壓控制特性相較于雙極型晶體管（BJT）更適合低功耗場景。

參考文獻：

1. 維基百科場效應晶體管條目
2. IEEE Xplore半導體器件研究數據庫
3. 清華大學微電子研究所教材
4. 美國電子工程師協會（IEEE）标準文件

網絡擴展解釋

場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應控制電流的半導體器件。以下是其核心要點：

1.基本定義

場效應晶體管通過外加電壓産生的電場來調控導電溝道的載流子濃度，從而控制電流大小。它屬于電壓控制型元件，僅依賴多數載流子導電（如N溝道的電子或P溝道的空穴），因此也被稱為單極型晶體管（）。

2.核心原理

• 電場調控機制：在半導體表面施加垂直電場時，載流子（電子或空穴）重新分布，改變導電溝道的寬度或導電能力。例如，栅極電壓的變化可調節PN結空間電荷區的寬度（）。
• 工作方式：以絕緣栅型場效應管（MOSFET）為例，栅極與溝道間的絕緣層（如二氧化矽）通過電壓形成電場，控制漏極-源極間電流（）。

3.主要類型

• 結型場效應管（JFET）：通過反向偏置的PN結調控溝道寬度，分為N溝道和P溝道（）。
• 金屬-氧化物半導體場效應管（MOSFET）：包括增強型和耗盡型，栅極與溝道間有絕緣層（）。
• 金屬-半導體場效應管（MESFET）：常用于高頻電路，采用肖特基結替代PN結（）。

4.關鍵特性

• 高輸入阻抗（可達10⁸~10⁹Ω），對前級電路影響小（）。
• 低噪聲、低功耗，適合小信號放大（）。
• 熱穩定性好，無二次擊穿問題，工作區域寬（）。

5.典型應用

• 信號放大：利用高輸入阻抗和低噪聲特性放大微弱信號（）。
• 電子開關：在數字電路中實現高速切換（如CMOS結構）（）。
• 穩壓與調制：用于電源穩壓和通信信號調制（）。

補充說明

與雙極型晶體管（BJT）相比，FET無需輸入電流即可工作，更適合高靈敏度場景，但部分高頻或大功率場景仍需結合BJT（）。

分類

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