英语翻译：

【计】 FET; field effect transistor

相关词条：

1.fieldistor  2.unipolartransistor  3.field-effecttransistor(FET)  4.Gridistor  5.bipolartransistor  6.bigfet  

分词翻译：

场效应的英语翻译：

【化】 field effect

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，其核心工作原理是通过调节栅极电压来改变导电通道的载流子浓度，从而实现对漏极-源极电流的精确控制。以下从结构、分类和应用三个层面进行解析：

1. 基本结构与术语对照

   场效应晶体管包含三个电极：栅极（Gate，G）、漏极（Drain，D）和源极（Source，S）。根据导电通道的形成方式，可分为增强型（Enhancement Mode）和耗尽型（Depletion Mode）。其英文术语对照体现了功能特性，例如"场效应"对应"Field-Effect"，强调电场对电流的调控作用。

2. 主要分类与物理机制

   • 结型场效应管（JFET）：通过PN结反向偏压调节导电通道宽度，适用于低频高阻抗电路。
   • 金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）：采用绝缘栅结构，具有输入阻抗高、功耗低的特性，是现代集成电路的基础元件。根据载流子类型进一步分为N沟道和P沟道MOSFET。

3. 核心应用领域

   场效应晶体管广泛应用于模拟开关（如射频前端电路）、功率放大（如通信基站功放模块）及数字集成电路（如CPU逻辑门设计）。其电压控制特性相较于双极型晶体管（BJT）更适合低功耗场景。

参考文献：

1. 维基百科场效应晶体管条目
2. IEEE Xplore半导体器件研究数据库
3. 清华大学微电子研究所教材
4. 美国电子工程师协会（IEEE）标准文件

网络扩展解释

场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。以下是其核心要点：

1.基本定义

场效应晶体管通过外加电压产生的电场来调控导电沟道的载流子浓度，从而控制电流大小。它属于电压控制型元件，仅依赖多数载流子导电（如N沟道的电子或P沟道的空穴），因此也被称为单极型晶体管（）。

2.核心原理

• 电场调控机制：在半导体表面施加垂直电场时，载流子（电子或空穴）重新分布，改变导电沟道的宽度或导电能力。例如，栅极电压的变化可调节PN结空间电荷区的宽度（）。
• 工作方式：以绝缘栅型场效应管（MOSFET）为例，栅极与沟道间的绝缘层（如二氧化硅）通过电压形成电场，控制漏极-源极间电流（）。

3.主要类型

• 结型场效应管（JFET）：通过反向偏置的PN结调控沟道宽度，分为N沟道和P沟道（）。
• 金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）：包括增强型和耗尽型，栅极与沟道间有绝缘层（）。
• 金属-半导体场效应管（MESFET）：常用于高频电路，采用肖特基结替代PN结（）。

4.关键特性

• 高输入阻抗（可达10⁸~10⁹Ω），对前级电路影响小（）。
• 低噪声、低功耗，适合小信号放大（）。
• 热稳定性好，无二次击穿问题，工作区域宽（）。

5.典型应用

• 信号放大：利用高输入阻抗和低噪声特性放大微弱信号（）。
• 电子开关：在数字电路中实现高速切换（如CMOS结构）（）。
• 稳压与调制：用于电源稳压和通信信号调制（）。

补充说明

与双极型晶体管（BJT）相比，FET无需输入电流即可工作，更适合高灵敏度场景，但部分高频或大功率场景仍需结合BJT（）。

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