栅阻抗英文解釋翻譯、栅阻抗的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid impedance

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

阻抗的英語翻譯：

impedance
【計】 Z
【化】 electrical impedance; impedance
【醫】 impedance

專業解析

栅阻抗（Gate Impedance）是電子工程中描述場效應晶體管（FET）栅極輸入特性的核心參數，由容抗、感抗與電阻分量共同構成。其複數表達式為： $$ Z_g = R_g + jX_g $$ 其中$R_g$代表栅極電阻，$Xg$為電抗分量，主要包含栅源電容$C{gs}$和栅漏電容$C_{gd}$産生的容抗效應。

在射頻電路設計中，栅阻抗直接影響功率放大器的輸入匹配效率。工程師需通過S參數測量确定其頻率響應特性，并借助阻抗變換網絡實現共轭匹配。根據IEEE微波理論與技術協會的研究，GaN HEMT器件在6GHz頻段典型栅阻抗值為(5 + j25)Ω，具體數值受栅極材料厚度與介電常數影響。

實際應用中需特别注意：

溫度穩定性：結溫每升高50°C，$C_{gs}$容值漂移約8%，需在熱設計中預留補償餘量
封裝寄生效應：引線電感會導緻高頻段阻抗虛部顯著上升
偏置相關性：當$V_{gs}$接近阈值電壓時，表面勢壘層變化會使$R_g$增大3-5倍

該參數的标準測量方法詳見《微波工程》（David M. Pozar著）第7章阻抗匹配網絡設計，其理論模型推導可參考劍橋大學電力電子實驗室的MOSFET動态阻抗分析報告。

網絡擴展解釋

“栅阻抗”是電子工程領域的一個術語，主要用于描述場效應晶體管（如MOSFET、JFET等）中栅極的阻抗特性。以下是詳細解釋：

基本定義
栅阻抗指場效應管（FET）栅極與源極之間的等效阻抗，通常表現為對交流信號的響應特性。由于栅極與溝道之間通過絕緣層（如MOSFET的氧化物層）隔離，其直流阻抗極高（可達兆歐級），但在交流信號下會因寄生電容等因素呈現複數阻抗特性。
主要組成因素
- 電容效應：栅極與源極/漏極之間存在的寄生電容（如$C{gs}$、$C{gd}$）會形成容抗，高頻下顯著降低阻抗。
- 電阻分量：包括栅極材料的電阻（$R_g$）和驅動電路的内阻，影響充放電速度。
實際影響
- 開關性能：栅阻抗決定場效應管的開關速度。例如，在功率MOSFET中，低栅阻抗可加快栅極電容充放電，從而減少開關損耗。
- 高頻響應：高頻電路中，栅阻抗的容性分量可能導緻信號延遲或相位失真。
設計考量
工程師需通過優化栅極驅動電路（如降低驅動電阻、使用低電感布局）來匹配栅阻抗，以平衡開關速度與功耗。例如，功率器件常外接栅極電阻（$R_G$）來抑制電壓振蕩。

若需進一步了解具體器件參數或計算公式，建議參考半導體器件手冊或電路設計教材。