
[電子] 襯底偏置
The model includes the substrate bias effect, the short channel effect and the relation between these two effects.
它綜合考慮了襯偏效應、短溝道效應以及兩者之間的關系。
The results showed that diffusion coefficient and diffusive distance increased with raising of negative substrate bias.
結果表明擴散系數和擴散距離都隨着負襯底偏壓的增大而增大。
And, with the enhancement of substrate bias voltage, electron energy increase gradually, electron density decrease sharply.
且隨着基片偏壓值的增大,電子能量有緩慢的增加,而電子密度則顯著下降。
In the paper, the enhancing process of diamond nucleation by negative substrate bias in hot filament CVD system was analyzed.
對利用熱燈絲cvd沉積金剛石膜時負襯底偏壓增強金剛石的核化過程進行了分析。
In this paper, the nucleation process of diamond by filament CVD was analyzed, and enhanced flux of ions by negative substrate bias was investigated in theory.
木文對熱燈絲cvd沉積金剛石膜的核化過程進行了分析,從理論上研究了負襯底偏壓增強活性離子的流量。
在微電子學與半導體器件領域,"substrate bias"(基底偏置)是指通過外部電路對半導體基底施加特定電壓的操作。該技術主要應用于金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)等器件的性能調控,通過改變基底與源極之間的電勢差,實現阈值電壓調節、漏電流抑制等關鍵功能。
從器件物理角度解釋,基底偏置效應遵循體效應公式: $$ V{th} = V{th0} + gamma(sqrt{2phiF + V{SB}}} - sqrt{2phiF}) $$ 其中$V{th0}$為零偏置阈值電壓,$gamma$為體效應系數,$phiF$為費米勢,$V{SB}$為基底-源極電壓。該公式揭示了基底電壓對阈值電壓的非線性影響規律,這一理論模型已被收錄于《半導體器件物理》(施敏著)教材中。
工程應用中,基底偏置技術具有三個核心價值:
值得注意的是,現代FinFET器件中,基底偏置的調節精度需控制在±0.2V以内,過高的偏置電壓可能引發栅極介電層擊穿。美國國家标準與技術研究院(NIST)在2024版半導體參數測試标準中,對此類操作規範作出了詳細說明。
“Substrate bias”是一個專業術語,在不同領域有不同含義,但主要應用于電子工程和半導體技術中。以下是綜合解釋:
Substrate(基底/襯底):
Bias(偏置):
Substrate bias(襯底偏置):
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