[晶體] 堆垛層錯
Dislocations within the stacking fault image were also observed.
還觀察到層錯象中的位錯。
TEM observation showed that there was much stacking fault in nanowires.
TEM觀察顯示，納米線中存在大量的堆垛層錯缺陷。
There was no stacking fault in the direction perpendicular to the growth orientation.
在垂直于晶須生長方向上沒有層錯的存在。
Only strip austenite substructure and stacking fault were observed around the carbides.
在碳化物顆粒附近隻觀察到奧氏體變體和層錯。
The formation of twin structure depends on the slip of stacking fault for nucleating and extending.
孿晶結構的形成依靠堆垛層錯的滑移運動而形核和擴展。
堆垛層錯（stacking fault）是晶體材料中常見的一種面缺陷，特指原子層在密堆積結構中偏離理想排列順序的現象。以面心立方（FCC）和六方密排（HCP）晶體為例，正常情況下原子層按照ABCABC...或ABAB...的規律堆疊，當局部區域出現ABABC...或ABABABC...等異常序列時，即形成堆垛層錯。
這種缺陷的形成主要與材料制備過程中的應力集中、塑性變形或快速冷卻等條件相關。根據美國國家标準與技術研究院（NIST）的晶體缺陷分類标準，堆垛層錯可分為本征型（缺失原子層）和非本征型（插入額外原子層）兩種基本類型。
在工程應用領域，劍橋大學材料系的研究表明，堆垛層錯能（Stacking Fault Energy）是決定金屬材料力學性能的關鍵參數。低層錯能材料（如黃銅）更易發生孿生變形，而高層錯能材料（如鋁）則傾向于發生位錯滑移。這種特性直接影響材料的強度、塑性和抗疲勞性能，因此在航空航天合金設計和半導體器件制造中具有重要指導價值。
“Stacking fault”是材料科學和晶體學中的專業術語，指晶體結構中原子層堆疊順序的異常現象。以下是詳細解釋：
“Stacking fault”譯為堆垛層錯，指晶體原子層在周期性排列過程中出現的局部順序偏差。例如，在面心立方（FCC）或密排六方（HCP）結構中，原子層本應按特定規律堆疊（如ABCABC...或ABAB...），但實際可能因缺陷形成如ABABC...的異常序列。
堆垛層錯會顯著影響材料的力學性能，例如降低金屬的延展性或增加脆性。同時，它在半導體和納米材料研究中具有重要意義，例如通過調控層錯密度可改變材料的電學性質。
如需進一步了解具體案例或實驗觀測方法，可參考材料科學相關教材或專業文獻。
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