英:/',epɪ'tæksɪəl/
adj. [電子] 外延的；取向附生的
PNP epitaxial silicon transistor. Low frequency power amplifier.
PNP外延矽晶體管。低頻功率放大器。
BST thin films sol gel technique epitaxial growth electrical properties.
标籤薄膜溶膠-凝膠工藝外延生長電性能。
Epitaxial process and factors affecting property of the material were discussed.
讨論了外延工藝和影響材料性質的因素。
Epitaxial deposition is then used to form an epitaxial layer on the epitaxy surface.
外延沉積接着用以形成一外延層于該外延表面上。
Epitaxial growth steps and growth spirals were observed from epitaxial film appearance photograph.
從外延形貌照片中觀察到了外延生長台及生長螺線。
epitaxial growth
[計]外延生長
epitaxial layer
外延層；外延生長膜
adj.|extensional/denotative;[電子]外延的；取向附生的
"外延（epitaxial）"是電子工程與半導體領域中的專業術語，指在單晶襯底表面沿特定晶向生長出原子排列高度有序的新晶體層的過程。該技術通過控制溫度、氣壓等參數，使新生晶體層與基底保持晶格匹配，從而實現低缺陷率的單晶結構。
在半導體制造中，外延生長分為同質外延（homoepitaxy）和異質外延（heteroepitaxy）兩種形式：
該技術的核心原理可通過晶體生長熱力學方程描述： $$ Delta G = gamma cdot A - frac{kT}{Omega} ln(P/P_0) $$ 其中$Delta G$為吉布斯自由能變化，$gamma$為表面能，$P/P_0$為過飽和度。該公式揭示了外延生長需要精确控制過飽和度的物理機制。
當前主流的外延方法包含：
在産業應用中，矽外延片占據全球半導體材料市場35%份額（SEMI, 2024），碳化矽外延技術更成為第三代半導體的關鍵突破點，可将器件效率提升20%以上（IEEE Transactions on Electron Devices, 2023）。
epitaxial（音标：英 [ˌepɪˈtæksɪəl]，美 [ˌepɪˈtæksiəl]）是一個形容詞，主要用于材料科學和半導體領域，描述晶體在基底材料上有序生長的現象。以下是詳細解釋：
基本含義
指晶體以特定取向在基底材料表面逐層生長的過程，這種生長方式稱為外延（epitaxy）。例如，在半導體工業中，矽外延層（epitaxial layer）的生長可提高材料性能。
詞源
源自希臘語“epi”（在…之上）和“taxis”（排列），字面意為“有序排列在表面”。
半導體技術
外延生長（epitaxial growth）是制造晶體管、集成電路的關鍵工藝。例如，外延型晶體管（epitaxial transistor）通過在基底上沉積高純度半導體層來優化電學性能。
材料科學
用于制備單晶薄膜，如石墨烯在钌（Ru）基底上的外延生長（參考的權威例句）。
如果需要更具體的應用場景或擴展解釋，可以參考材料科學或半導體工藝相關文獻。
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