英:/',epɪ'tæksɪəl/
adj. [电子] 外延的；取向附生的
PNP epitaxial silicon transistor. Low frequency power amplifier.
PNP外延硅晶体管。低频功率放大器。
BST thin films sol gel technique epitaxial growth electrical properties.
标签薄膜溶胶-凝胶工艺外延生长电性能。
Epitaxial process and factors affecting property of the material were discussed.
讨论了外延工艺和影响材料性质的因素。
Epitaxial deposition is then used to form an epitaxial layer on the epitaxy surface.
外延沉积接着用以形成一外延层于该外延表面上。
Epitaxial growth steps and growth spirals were observed from epitaxial film appearance photograph.
从外延形貌照片中观察到了外延生长台及生长螺线。
epitaxial growth
[计]外延生长
epitaxial layer
外延层；外延生长膜
adj.|extensional/denotative;[电子]外延的；取向附生的
"外延（epitaxial）"是电子工程与半导体领域中的专业术语，指在单晶衬底表面沿特定晶向生长出原子排列高度有序的新晶体层的过程。该技术通过控制温度、气压等参数，使新生晶体层与基底保持晶格匹配，从而实现低缺陷率的单晶结构。
在半导体制造中，外延生长分为同质外延（homoepitaxy）和异质外延（heteroepitaxy）两种形式：
该技术的核心原理可通过晶体生长热力学方程描述： $$ Delta G = gamma cdot A - frac{kT}{Omega} ln(P/P_0) $$ 其中$Delta G$为吉布斯自由能变化，$gamma$为表面能，$P/P_0$为过饱和度。该公式揭示了外延生长需要精确控制过饱和度的物理机制。
当前主流的外延方法包含：
在产业应用中，硅外延片占据全球半导体材料市场35%份额（SEMI, 2024），碳化硅外延技术更成为第三代半导体的关键突破点，可将器件效率提升20%以上（IEEE Transactions on Electron Devices, 2023）。
epitaxial（音标：英 [ˌepɪˈtæksɪəl]，美 [ˌepɪˈtæksiəl]）是一个形容词，主要用于材料科学和半导体领域，描述晶体在基底材料上有序生长的现象。以下是详细解释：
基本含义
指晶体以特定取向在基底材料表面逐层生长的过程，这种生长方式称为外延（epitaxy）。例如，在半导体工业中，硅外延层（epitaxial layer）的生长可提高材料性能。
词源
源自希腊语“epi”（在…之上）和“taxis”（排列），字面意为“有序排列在表面”。
半导体技术
外延生长（epitaxial growth）是制造晶体管、集成电路的关键工艺。例如，外延型晶体管（epitaxial transistor）通过在基底上沉积高纯度半导体层来优化电学性能。
材料科学
用于制备单晶薄膜，如石墨烯在钌（Ru）基底上的外延生长（参考的权威例句）。
如果需要更具体的应用场景或扩展解释，可以参考材料科学或半导体工艺相关文献。
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