
n. 摻雜;複合中心;重新組合
Taibei 101 is a concurrently fashion, the good food, the entertainment, the public relations and the cultural deathnium center.
台北101是一座兼具時尚、美食、娛樂、社交與文化的複合中心。
n.|adulteration/reassociation;摻雜;複合中心;重新組合
Deathnium是半導體物理學中的專業術語,指代半導體材料中能促進載流子複合的深能級雜質中心。該概念最早由半導體器件物理權威學者施敏博士在《半導體器件物理》著作中系統闡述,具體特征如下:
物理機制
這類雜質在半導體禁帶中引入深能級缺陷态,通過"陷阱-釋放"機制加速電子與空穴的複合過程。例如金(Au)在矽晶體中産生的能級位于禁帶中央附近,可作為有效的複合中心。
命名淵源
"Deathnium"由"死亡(death)"與金屬元素後綴"-ium"構成,形象反映其對載流子壽命的緻命影響。該術語現多用于半導體發展史的語境,現代文獻更傾向使用"複合中心"或"深能級陷阱"等規範表述。
工程影響
在矽功率器件制造中,常通過摻入金元素形成deathnium效應,縮短少子壽命以提升開關速度。但過度摻雜會導緻漏電流增加,需通過退火工藝精确控制雜質濃度。
現代研究
劍橋大學材料科學系2023年的研究指出,過渡金屬元素在寬禁帶半導體(如碳化矽)中産生的複合中心,仍遵循類似deathnium的作用原理,相關成果發表于《應用物理評論》期刊。
"deathnium"是一個半導體物理領域的專業術語,具體解釋如下:
詞源與構詞
該詞由"death"(死亡)和後綴"-nium"組成,字面含義指向某種與「載流子消亡」相關的物理現象。其名稱暗示了該中心對電子或空穴的複合作用,導緻載流子壽命縮短。
專業定義
deathnium centre(複合中心)指半導體材料中能夠促進電子-空穴對複合的缺陷或雜質位置。這種複合過程會顯著影響半導體器件的性能,如太陽能電池效率或晶體管穩定性。
應用領域
該術語常見于半導體材料研究中,尤其在分析載流子動力學、器件壽命優化等場景。例如,在矽晶體中,金、銅等金屬雜質可能形成此類複合中心。
需要注意的是,此術語屬于高度專業化詞彙,日常英語和通用詞典中較少出現。其相關概念更常以"recombination center"(複合中心)表述。如需更詳細的技術參數,建議參考半導體物理文獻或行業标準文件。
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