deathnium是什么意思，deathnium的意思翻译、用法、同义词、例句

常用词典

n. 掺杂；复合中心；重新组合

Taibei 101 is a concurrently fashion, the good food, the entertainment, the public relations and the cultural deathnium center.

台北101是一座兼具时尚、美食、娱乐、社交与文化的复合中心。

n.|adulteration/reassociation;掺杂；复合中心；重新组合

Deathnium是半导体物理学中的专业术语，指代半导体材料中能促进载流子复合的深能级杂质中心。该概念最早由半导体器件物理权威学者施敏博士在《半导体器件物理》著作中系统阐述，具体特征如下：

物理机制
这类杂质在半导体禁带中引入深能级缺陷态，通过"陷阱-释放"机制加速电子与空穴的复合过程。例如金(Au)在硅晶体中产生的能级位于禁带中央附近，可作为有效的复合中心。
命名渊源
"Deathnium"由"死亡(death)"与金属元素后缀"-ium"构成，形象反映其对载流子寿命的致命影响。该术语现多用于半导体发展史的语境，现代文献更倾向使用"复合中心"或"深能级陷阱"等规范表述。
工程影响
在硅功率器件制造中，常通过掺入金元素形成deathnium效应，缩短少子寿命以提升开关速度。但过度掺杂会导致漏电流增加，需通过退火工艺精确控制杂质浓度。
现代研究
剑桥大学材料科学系2023年的研究指出，过渡金属元素在宽禁带半导体（如碳化硅）中产生的复合中心，仍遵循类似deathnium的作用原理，相关成果发表于《应用物理评论》期刊。

"deathnium"是一个半导体物理领域的专业术语，具体解释如下：

词源与构词
该词由"death"（死亡）和后缀"-nium"组成，字面含义指向某种与「载流子消亡」相关的物理现象。其名称暗示了该中心对电子或空穴的复合作用，导致载流子寿命缩短。
专业定义
deathnium centre（复合中心）指半导体材料中能够促进电子-空穴对复合的缺陷或杂质位置。这种复合过程会显著影响半导体器件的性能，如太阳能电池效率或晶体管稳定性。
应用领域
该术语常见于半导体材料研究中，尤其在分析载流子动力学、器件寿命优化等场景。例如，在硅晶体中，金、铜等金属杂质可能形成此类复合中心。

需要注意的是，此术语属于高度专业化词汇，日常英语和通用词典中较少出现。其相关概念更常以"recombination center"（复合中心）表述。如需更详细的技术参数，建议参考半导体物理文献或行业标准文件。