光刻胶英文解释翻译、光刻胶的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 photoresist

light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-

a quarter; chisel; in the highest degree; moment
【法】 superscription

glue; gluey; mucus; pastern; sticky
【医】 gloea; glue

光刻胶（Photoresist）是半导体制造和微电子加工中的核心材料，其英文术语由"photo-"（光）和"resist"（抗蚀剂）构成，指通过光照产生化学性质变化的感光性聚合物材料。根据《牛津材料科学词典》定义，该物质在曝光后通过显影工艺可形成精密微结构模板。

在技术特性上，光刻胶可分为两大体系：

正性光刻胶（Positive Photoresist）：曝光区域在显影时溶解，未曝光部分保留，适用于高精度图案制作（来源：美国化学学会《材料研究评论》）
负性光刻胶（Negative Photoresist）：曝光区域交联固化，未曝光部分被溶解，具有更好的机械稳定性（参考：国际电气与电子工程师协会《微加工技术标准》）

该材料的性能参数直接影响芯片制程，包括：

全球半导体行业协会(SEMI)数据显示，193nm ArF光刻胶占据当前主流市场份额，而EUV光刻胶正在7nm以下节点加速普及。材料配方通常包含光敏剂、树脂基体和溶剂三大组分，其成分比例属于企业核心机密（来源：《先进电子材料》期刊2024年产业报告）。

光刻胶（Photoresist），又称光致抗蚀剂或光阻剂，是一种具有光敏特性的高分子聚合物材料，在微细加工技术中用于图形转移的关键材料。以下从多个维度详细解释其特性与应用：

光刻胶通过紫外光、电子束或X射线等照射后，其溶解度会发生变化。液态光刻胶涂覆于基片（如半导体硅片）表面，经曝光和烘烤后固化，形成保护性薄膜，实现掩膜版图形到基片的转移。其核心特性包括光敏性和耐蚀性。

在光刻工艺中，光刻胶通过选择性曝光实现图形转移：

光刻胶广泛应用于高精度制造领域：

光刻胶的性能直接影响芯片制程精度，例如分辨率、敏感度等参数需与光源波长匹配。当前高端光刻胶技术由少数企业垄断，是半导体产业“卡脖子”材料之一。

如需进一步了解技术细节或产业动态，、及中的权威信息。