关断延迟英文解释翻译、关断延迟的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 turn-off delay

分词翻译：

关的英语翻译：

barrier; close; cut; pass; shut; turn off
【化】 put out
【医】 make

断的英语翻译：

break; break off; give up; sever; snap; stop
【医】 break

延迟的英语翻译：

defer; delay; detention; hang fire; postpone; procrastinate; put off; retard
stave off
【计】 delay; lag
【化】 time delay
【经】 arrears; defer; postonement

专业解析

关断延迟（Turn-off Delay Time）在电力电子领域中指半导体器件从导通状态切换到完全截止状态所需的时间间隔。该参数通常用于描述晶闸管、IGBT或MOSFET等功率器件的动态特性，其英文术语对应为"Turn-off time"或"Turn-off delay time"（来源：IEEE标准1156-2018）。

从器件工作机理分析，关断延迟包含两个关键阶段：

存储时间（Storage Time）：关断信号施加后，器件内部载流子浓度下降至临界值所需的时间段
下降时间（Fall Time）：电流/电压从导通值衰减至截止值的持续时间，受器件结电容和驱动电路阻抗共同影响（参考：英飞凌技术手册AN2018-03）

在实际应用中，典型数值范围根据器件类型有所不同：

硅基IGBT：100-500 ns
SiC MOSFET：20-100 ns
GaN HEMT：5-50 ns （数据来源：IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.37, 2022）

该参数直接影响开关损耗计算，工程设计中需通过门极驱动优化和RC缓冲电路来缩短关断延迟。根据JEDEC JESD24-7测试标准，测量时需确保结温稳定在125℃±5℃的工业标准测试条件。

网络扩展解释

关断延迟是电力电子器件（如IGBT）关断过程中的一个关键时间参数，具体指从关断控制信号发出到器件电流开始下降的时间段。其技术含义和过程可分为以下要点：

定义阶段
关断延迟时间（记为$t_{d(off)}$）是器件关断过程的第一阶段，表现为控制信号触发后，电流尚未显著下降的"停滞期"。例如IGBT关断时，此阶段内部载流子需完成复合或抽离过程。
物理过程
该延迟源于器件内部物理特性：
- 半导体结电容的充放电
- 载流子迁移与复合时间
- 驱动电路信号传输延迟
数学表达
完整的关断时间公式为：
$$ t{off} = t{d(off)} + Delta t + t_f $$
其中$Delta t$为电压上升时间，$t_f$为电流下降时间。
工程影响
该参数直接影响：
- 开关损耗计算
- 电路工作频率上限
- 电磁干扰(EMI)水平

在IGBT等功率器件的数据手册中，关断延迟时间通常与温度、驱动电压等参数相关，实际应用中需结合具体工况评估。