關斷延遲英文解釋翻譯、關斷延遲的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 turn-off delay

分詞翻譯：

關的英語翻譯：

barrier; close; cut; pass; shut; turn off
【化】 put out
【醫】 make

斷的英語翻譯：

break; break off; give up; sever; snap; stop
【醫】 break

延遲的英語翻譯：

defer; delay; detention; hang fire; postpone; procrastinate; put off; retard
stave off
【計】 delay; lag
【化】 time delay
【經】 arrears; defer; postonement

專業解析

關斷延遲（Turn-off Delay Time）在電力電子領域中指半導體器件從導通狀态切換到完全截止狀态所需的時間間隔。該參數通常用于描述晶閘管、IGBT或MOSFET等功率器件的動态特性，其英文術語對應為"Turn-off time"或"Turn-off delay time"（來源：IEEE标準1156-2018）。

從器件工作機理分析，關斷延遲包含兩個關鍵階段：

存儲時間（Storage Time）：關斷信號施加後，器件内部載流子濃度下降至臨界值所需的時間段
下降時間（Fall Time）：電流/電壓從導通值衰減至截止值的持續時間，受器件結電容和驅動電路阻抗共同影響（參考：英飛淩技術手冊AN2018-03）

在實際應用中，典型數值範圍根據器件類型有所不同：

矽基IGBT：100-500 ns
SiC MOSFET：20-100 ns
GaN HEMT：5-50 ns （數據來源：IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.37, 2022）

該參數直接影響開關損耗計算，工程設計中需通過門極驅動優化和RC緩沖電路來縮短關斷延遲。根據JEDEC JESD24-7測試标準，測量時需确保結溫穩定在125℃±5℃的工業标準測試條件。

網絡擴展解釋

關斷延遲是電力電子器件（如IGBT）關斷過程中的一個關鍵時間參數，具體指從關斷控制信號發出到器件電流開始下降的時間段。其技術含義和過程可分為以下要點：

定義階段
關斷延遲時間（記為$t_{d(off)}$）是器件關斷過程的第一階段，表現為控制信號觸發後，電流尚未顯著下降的"停滞期"。例如IGBT關斷時，此階段内部載流子需完成複合或抽離過程。
物理過程
該延遲源于器件内部物理特性：
- 半導體結電容的充放電
- 載流子遷移與複合時間
- 驅動電路信號傳輸延遲
數學表達
完整的關斷時間公式為：
$$ t{off} = t{d(off)} + Delta t + t_f $$
其中$Delta t$為電壓上升時間，$t_f$為電流下降時間。
工程影響
該參數直接影響：
- 開關損耗計算
- 電路工作頻率上限
- 電磁幹擾(EMI)水平

在IGBT等功率器件的數據手冊中，關斷延遲時間通常與溫度、驅動電壓等參數相關，實際應用中需結合具體工況評估。