
【计】 reverse resistance
reverse
【计】 reverse direction
【医】 entypy; inversion
resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance
反向电阻(Reverse Resistance)是电子工程领域的专业术语,指半导体器件(如二极管)在反向偏置电压下呈现的电阻特性。其英文定义可表述为:“The resistance exhibited by a semiconductor device when a reverse voltage is applied, impeding current flow in the opposite direction of normal operation.”
从技术特性分析,反向电阻具有以下核心内涵:
非线性阻值特性:反向电阻值通常比正向电阻高3-6个数量级,硅二极管典型值范围为100kΩ至10GΩ,具体数值取决于半导体材料能隙(如硅材料1.1eV,锗材料0.67eV)和掺杂浓度。
温度敏感性:遵循公式: $$ R_{rev} = R_0 cdot e^{frac{E_g}{kT}} $$ 其中Eg为材料带隙能量,k为玻尔兹曼常数,T为绝对温度。该公式解释了反向电阻随温度升高而降低的现象。
电路保护功能:在电源反接保护电路中,二极管的反向电阻特性可有效限制反向电流至nA级(以1N4148为例,反向电流典型值25nA@20V)。
权威参考文献:
(注:上述链接为示例格式,实际引用时应替换为对应文献的真实有效链接)
反向电阻是电子元器件(如二极管、LED等)在反向偏置状态下呈现的电阻特性。以下是其详细解释:
反向电阻指电流方向与器件正常工作方向相反时,器件对电流的阻碍作用。此时,电阻值显著增大,电流极小甚至可忽略。例如二极管在反向偏置时,反向电阻可高达兆欧级,接近绝缘状态。
反向电阻并非恒定值,会随反向电压变化。低压时电阻极大,接近绝缘;高压接近击穿时电阻迅速减小。
用万用表电阻档测量时,需将表笔反接器件两极(如二极管正极接黑表笔为反向)。正常器件应显示高阻值,若电阻过低则可能损坏。
提示:若需具体数值或测试条件,建议查阅器件手册或专业测试指南。
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