单结晶体管英文解释翻译、单结晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 unijunction transistor

分词翻译：

单的英语翻译：

odd; single
【医】 azygos; mon-; mono-; uni-

结的英语翻译：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【医】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

单结晶体管 (Dānjié Jīngtǐguǎn / Unijunction Transistor - UJT)

在电子工程领域，单结晶体管（Unijunction Transistor, UJT）是一种特殊类型的三端半导体器件。虽然名称中包含“晶体管”，但其结构和工作原理与常见的双极结型晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）有本质区别。它本质上是一个负阻器件，主要用于振荡器、定时电路和触发电路中。

1. 结构原理 (Structure Principle)

汉英对照： UJT 由一个轻掺杂的N型硅棒构成，形成唯一的“基极”通道。在棒的一侧，靠近一个基极端（B2）的位置，通过合金工艺形成一个P型发射区，引出发射极 (Emitter, E)。硅棒的两端分别引出两个基极 (Base, Base1/B1 and Base2/B2)。因此，它只有一个PN结（位于发射极E和N型硅棒之间），这也是“单结”名称的由来。
等效电路：两个基极（B1和B2）之间的N型硅棒可以等效为一个固定电阻（称为基极间电阻 Rbb）。发射极E接入的位置将Rbb分成两个部分：RB1（E到B1）和RB2（E到B2）。在E和B1之间，存在一个等效的二极管（代表那个唯一的PN结）。

2. 工作特性 (Operating Characteristics)

汉英对照： UJT的核心特性是其负阻特性 (Negative Resistance Characteristic)。当发射极电压 (Ve) 从零开始增加但低于某个特定值（称为峰点电压 Vp）时，等效二极管反偏，只有很小的反向漏电流（反向电流 Ire）流过发射极。当Ve达到并略微超过Vp时，PN结正偏导通，大量空穴注入N型基区。这些空穴降低了发射极附近（主要是RB1区域）的电阻率，导致RB1急剧减小。这使得即使Ve开始下降，发射极电流 (Ie) 也会急剧增加，呈现出电压下降电流上升的负阻区 (Negative Resistance Region)。当Ie增大到一定程度（谷点电流 Iv）后，器件进入饱和区 (Saturation Region)，此时特性类似于一个正向导通的二极管。

3. 主要应用 (Main Applications)

汉英对照： UJT最主要的应用是构成张弛振荡器 (Relaxation Oscillator)。利用其负阻特性，配合一个电容和一个电阻，可以产生锯齿波或尖脉冲。它也被广泛用于：
- 定时电路 (Timing Circuits)：控制时间延迟。
- 触发电路 (Trigger Circuits)：产生控制信号，例如用于可控硅（SCR）或三端双向可控硅（TRIAC）的触发。
- 脉冲发生器 (Pulse Generators)。

4. 与普通晶体管的关键区别 (Key Differences from Conventional Transistors)

汉英对照： UJT不是放大器 (Not an Amplifier)。它不能像BJT或FET那样放大信号。它的主要功能是作为一个开关器件 (Switching Device) 或负阻元件 (Negative Resistance Element)，其工作状态由发射极电压控制，而非基极电流（BJT）或栅极电压（FET）。它只有一个PN结 (Only One PN Junction)，而BJT有两个。

5. 使用注意事项 (Usage Notes)

汉英对照：设计UJT电路时，需要根据器件规格书选择合适的分压比 η (Intrinsic Standoff Ratio)（η ≈ RB1 / Rbb，是器件固有参数）、峰点电压Vp和谷点电流Iv。连接在B1和B2之间的电阻值需要适中，过小可能使器件无法进入负阻区，过大则可能限制电流或影响振荡频率。

引用参考 (References):

来源：《电子线路（线性部分）》（第五版），谢嘉奎主编，高等教育出版社。 (标准教材，详细阐述UJT结构、特性曲线效电路及振荡器应用)。
来源：《半导体器件物理与工艺》（第三版），施敏, 伍国珏著，赵鹤鸣等译，苏州大学出版社。 (权威著作，深入讲解半导体物理基础，包含PN结及UJT等器件原理)。
来源： ON Semiconductor, Programmable Unijunction Transistor (PUT) Datasheet and Application Notes. (主要半导体制造商，提供实际器件参数、特性曲线和应用电路示例，如 2N6027/8 系列PUT，PUT是UJT的一种改进型)。

网络扩展解释

单结晶体管（Unijunction Transistor, UJT）是一种特殊的三端半导体器件，具有独特的结构和负阻特性。以下从结构、原理、特性、应用及参数五个方面进行详细解释：

1.结构与组成

核心结构：由一个高阻N型硅片作为基区，两端通过欧姆接触引出两个基极（B1和B2），中间靠近B2的一侧通过合金法或扩散法形成P型区作为发射极（E），构成唯一的PN结。
别名：因其结构特点，又称“双基极二极管”或“基极二极管”。

2.工作原理

电压分压：当B1和B2间施加电压时，基区形成均匀电场，发射极E与B1间的分压比由内部电阻决定（η = R_B1 / R_BB）。
导通条件：当发射极电压超过阈值（V_P = ηV_BB + V_D，V_D为PN结压降约0.6~0.7V），PN结正偏导通，E与B1间电阻骤降，进入负阻区。

3.特性

负阻特性：导通后电流增大但电压降低，形成典型的负阻曲线，适用于开关和振荡电路。
温度稳定性：开关特性受温度影响小，可靠性高。

4.主要参数

基极间电阻（R_BB）：通常为2~10 kΩ，随温度升高而增大。
分压比（η）：由结构决定，范围0.3~0.85。
反向耐压（V_CB1）：发射极与基极间的耐压值。

5.典型应用

弛张振荡器：利用负阻特性生成锯齿波或脉冲信号。
定时与控制电路：如SCR（可控硅）触发电路。
阶梯波发生器：用于数字电路中的时序控制。

单结晶体管通过独特的负阻效应实现快速开关功能，在脉冲和数字电路中应用广泛。其结构简单、成本低，但需注意分压比和温度对参数的影响。更多细节可参考搜狗百科等权威来源。