單結晶體管英文解釋翻譯、單結晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 unijunction transistor

分詞翻譯：

單的英語翻譯：

odd; single
【醫】 azygos; mon-; mono-; uni-

結的英語翻譯：

congeal; form; knot; settle; vinculum; weave
【醫】 knob; knot; node; nodule; noduli; nodulus; nodus; noeud

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

單結晶體管 (Dānjié Jīngtǐguǎn / Unijunction Transistor - UJT)

在電子工程領域，單結晶體管（Unijunction Transistor, UJT）是一種特殊類型的三端半導體器件。雖然名稱中包含“晶體管”，但其結構和工作原理與常見的雙極結型晶體管（BJT）或場效應晶體管（FET）有本質區别。它本質上是一個負阻器件，主要用于振蕩器、定時電路和觸發電路中。

1. 結構原理 (Structure Principle)

漢英對照： UJT 由一個輕摻雜的N型矽棒構成，形成唯一的“基極”通道。在棒的一側，靠近一個基極端（B2）的位置，通過合金工藝形成一個P型發射區，引出發射極 (Emitter, E)。矽棒的兩端分别引出兩個基極 (Base, Base1/B1 and Base2/B2)。因此，它隻有一個PN結（位于發射極E和N型矽棒之間），這也是“單結”名稱的由來。
等效電路：兩個基極（B1和B2）之間的N型矽棒可以等效為一個固定電阻（稱為基極間電阻 Rbb）。發射極E接入的位置将Rbb分成兩個部分：RB1（E到B1）和RB2（E到B2）。在E和B1之間，存在一個等效的二極管（代表那個唯一的PN結）。

2. 工作特性 (Operating Characteristics)

漢英對照： UJT的核心特性是其負阻特性 (Negative Resistance Characteristic)。當發射極電壓 (Ve) 從零開始增加但低于某個特定值（稱為峰點電壓 Vp）時，等效二極管反偏，隻有很小的反向漏電流（反向電流 Ire）流過發射極。當Ve達到并略微超過Vp時，PN結正偏導通，大量空穴注入N型基區。這些空穴降低了發射極附近（主要是RB1區域）的電阻率，導緻RB1急劇減小。這使得即使Ve開始下降，發射極電流 (Ie) 也會急劇增加，呈現出電壓下降電流上升的負阻區 (Negative Resistance Region)。當Ie增大到一定程度（谷點電流 Iv）後，器件進入飽和區 (Saturation Region)，此時特性類似于一個正向導通的二極管。

3. 主要應用 (Main Applications)

漢英對照： UJT最主要的應用是構成張弛振蕩器 (Relaxation Oscillator)。利用其負阻特性，配合一個電容和一個電阻，可以産生鋸齒波或尖脈沖。它也被廣泛用于：
- 定時電路 (Timing Circuits)：控制時間延遲。
- 觸發電路 (Trigger Circuits)：産生控制信號，例如用于可控矽（SCR）或三端雙向可控矽（TRIAC）的觸發。
- 脈沖發生器 (Pulse Generators)。

4. 與普通晶體管的關鍵區别 (Key Differences from Conventional Transistors)

漢英對照： UJT不是放大器 (Not an Amplifier)。它不能像BJT或FET那樣放大信號。它的主要功能是作為一個開關器件 (Switching Device) 或負阻元件 (Negative Resistance Element)，其工作狀态由發射極電壓控制，而非基極電流（BJT）或栅極電壓（FET）。它隻有一個PN結 (Only One PN Junction)，而BJT有兩個。

5. 使用注意事項 (Usage Notes)

漢英對照：設計UJT電路時，需要根據器件規格書選擇合適的分壓比 η (Intrinsic Standoff Ratio)（η ≈ RB1 / Rbb，是器件固有參數）、峰點電壓Vp和谷點電流Iv。連接在B1和B2之間的電阻值需要適中，過小可能使器件無法進入負阻區，過大則可能限制電流或影響振蕩頻率。

引用參考 (References):

來源：《電子線路（線性部分）》（第五版），謝嘉奎主編，高等教育出版社。 (标準教材，詳細闡述UJT結構、特性曲線效電路及振蕩器應用)。
來源：《半導體器件物理與工藝》（第三版），施敏, 伍國珏著，趙鶴鳴等譯，蘇州大學出版社。 (權威著作，深入講解半導體物理基礎，包含PN結及UJT等器件原理)。
來源： ON Semiconductor, Programmable Unijunction Transistor (PUT) Datasheet and Application Notes. (主要半導體制造商，提供實際器件參數、特性曲線和應用電路示例，如 2N6027/8 系列PUT，PUT是UJT的一種改進型)。

網絡擴展解釋

單結晶體管（Unijunction Transistor, UJT）是一種特殊的三端半導體器件，具有獨特的結構和負阻特性。以下從結構、原理、特性、應用及參數五個方面進行詳細解釋：

1.結構與組成

核心結構：由一個高阻N型矽片作為基區，兩端通過歐姆接觸引出兩個基極（B1和B2），中間靠近B2的一側通過合金法或擴散法形成P型區作為發射極（E），構成唯一的PN結。
别名：因其結構特點，又稱“雙基極二極管”或“基極二極管”。

2.工作原理

電壓分壓：當B1和B2間施加電壓時，基區形成均勻電場，發射極E與B1間的分壓比由内部電阻決定（η = R_B1 / R_BB）。
導通條件：當發射極電壓超過阈值（V_P = ηV_BB + V_D，V_D為PN結壓降約0.6~0.7V），PN結正偏導通，E與B1間電阻驟降，進入負阻區。

3.特性

負阻特性：導通後電流增大但電壓降低，形成典型的負阻曲線，適用于開關和振蕩電路。
溫度穩定性：開關特性受溫度影響小，可靠性高。

4.主要參數

基極間電阻（R_BB）：通常為2~10 kΩ，隨溫度升高而增大。
分壓比（η）：由結構決定，範圍0.3~0.85。
反向耐壓（V_CB1）：發射極與基極間的耐壓值。

5.典型應用

弛張振蕩器：利用負阻特性生成鋸齒波或脈沖信號。
定時與控制電路：如SCR（可控矽）觸發電路。
階梯波發生器：用于數字電路中的時序控制。

單結晶體管通過獨特的負阻效應實現快速開關功能，在脈沖和數字電路中應用廣泛。其結構簡單、成本低，但需注意分壓比和溫度對參數的影響。更多細節可參考搜狗百科等權威來源。